徑向Somigliana攀移型位錯環(huán)的研究及其在壓痕斷裂中的應用.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、材料中的位錯和位錯環(huán)對材料的機械性能,如形變、疲勞、斷裂等性能均有重要影響。在微米量級的結構尺寸限制下,材料的機械性能與體塊結構情形下有所不同,表現(xiàn)在變形、破壞的機理與模式都發(fā)生變化,如處理基于幾何必需位錯發(fā)生機制的尺度效應、薄膜基地的失配模式等問題,傳統(tǒng)力學分析的唯象方法已不再適用,這些問題都要求對物理奇異性,如位錯,有更深入的研究與認識。
  本課題來源于壓劃痕試驗中的韌度研究。首先求解Somigliana徑向攀移型位錯環(huán)的解

2、,并比較形成Somigliana攀移型位錯環(huán)已有的幾種操作方式,澄清位錯解與切割面選取之間的關系,獲得Somigliana攀移型位錯環(huán)的更具一般性的物理圖象,并在此基礎上,考慮單個位錯環(huán)與界面的相互作用,用位錯塞積模式定義壓劃痕試驗中常見的表面初始開裂,獲得斷裂問題的解。
  主要內容為:
  (1)施加徑向切割錯動邊界條件定義Somigliana位錯,使用Hankel變換獲得問題的精確解,比較Korsunsky的軸向滑移型

3、Somigliana位錯環(huán)的解。
  (2)使用精確解,引入不同的材料界面,求解單個攀移型Somigliana位錯環(huán)與界面的相互作用,獲得相應的應力場。
  (3)利用Somigliana位錯環(huán)數(shù)值模擬壓痕試驗中的初始淺表裂紋,給出斷裂力學模型,解釋淺表裂紋的發(fā)生機理及相應尺度范圍,并與試驗結論進行比較。
  本課題的結論一方面統(tǒng)一了兩類奇異性的表征,使得Somigliana位錯環(huán)更具一般意義;另一方面,這些結論為處理

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