拓撲結構條件下肝細胞增殖、PI3K-Akt信號表達及相關培養(yǎng)皿的設計與制備.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、利用聚二甲基硅氧烷（PDMS）制備了4-4μm、10-4μm，名義高度為4μm的微柱陣列型拓撲結構基底和平面基底，研究PDMS微柱陣列型拓撲結構基底上PI3K/AKT信號通路并以磷脂酰肌醇3-激酶特異性抑制劑 LY294002處理對HepG2肝癌細胞增殖活力的影響，并探討其可能的作用機制。采用掃描電鏡以及相差顯微圖像觀察細胞的形態(tài)；MTT法檢測結構基底和平面基底上培養(yǎng)HepG2肝癌細胞增殖活力，流式細胞儀分析細胞周期；定量PCR技術檢測

2、bax、bcl-2、p21 mRNA表達；免疫熒光法檢測HepG2細胞粘著斑蛋白、Akt蛋白及PIP2的表達。實驗結果表明，在4-4μm、10-4μm兩種基底上細胞細胞呈單層鋪展而不形成聚集體，且在拓撲結構表面維持良好的粘附、鋪展、和細胞極化程度，且其增殖活力均顯著高于平面基底上相應值；LY294002抑制劑作用下微拓撲結構和平面基底上細胞增殖抑制率均明顯增高或趨于增高，且在拓撲結構基底上的細胞增殖抑制率顯著高于PDMS平面基底上相應值

3、，相應的，流式細胞儀檢測細胞周期發(fā)現拓撲結構基底上的細胞增殖指數均顯著高于平面基底相應值，LY294002處理HepG2細胞24 h后G0/G1期細胞相對增加,相應地，增殖指數也顯著下降，引起了細胞凋亡；實時定量PCR實驗表明4-4μm、10-4μm基底上HepG2細胞增殖相關蛋白p21、bcl-2 mRNA表達量較之平面基底上mRNA表達量均出現明顯增高或趨于增高，且10-4μm拓撲結構基底上p21 mRNA表達量最高，bax mRN

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