細胞自噬在Seipin突變所致脂代謝異常和α粒子輻射旁效應(yīng)中的作用.pdf

1、自噬是細胞應(yīng)對胞內(nèi)和胞外刺激的分子細胞學過程。本論文主要討論細胞自噬在細胞受到內(nèi)部刺激（脂代謝相關(guān)基因突變）及外部刺激（α粒子輻照）后所起的作用。
　　基因突變所表達的異常蛋白是一種常見的胞內(nèi)應(yīng)激因素。seipin為定位于內(nèi)質(zhì)網(wǎng)的膜蛋白，其糖基化位點突變使蛋白質(zhì)錯誤折疊，導致脂質(zhì)代謝異常。我們通過體外轉(zhuǎn)染實驗，研究自噬系統(tǒng)對seipin基因糖基化位點突變導致脂滴形態(tài)異常的影響。實驗中，用糖基化位點突變的seipin質(zhì)粒與表達自噬體

2、標分子GFP-LC3質(zhì)粒共轉(zhuǎn)染細胞，Nile Red（尼羅紅）用來示蹤細胞內(nèi)脂滴，進行免疫熒光、免疫印跡以及流式細胞術(shù)檢測分析。研究發(fā)現(xiàn)，在細胞中過表達突變seipin能改變GFP-LC3的亞細胞分布，致胞漿出現(xiàn)大量空泡，GFP-LC3與突變體seipin的亞細胞分布高度重合，細胞自噬系統(tǒng)被激活;并且，突變seipin使胞內(nèi)被Nile Red染色的彌散小脂滴融合成大脂滴;抑制細胞自噬系統(tǒng)更易于使轉(zhuǎn)染突變seipin的細胞內(nèi)出現(xiàn)巨大空泡;

3、蛋白質(zhì)糖基化抑制劑能模擬突變seipin誘導的胞內(nèi)變化，使轉(zhuǎn)染正常型seipin質(zhì)粒的細胞出現(xiàn)與轉(zhuǎn)染突變體seipin質(zhì)粒的細胞類似的形態(tài)和生化學改變。以上結(jié)果顯示，基因突變干擾脂滴正常形態(tài)學及代謝功能，而自噬則作為一種代償性性反應(yīng)參與胞內(nèi)異常脂滴的降解過程。
　　在胞外刺激中，輻射刺激是一種很重要的物理因素。輻射損傷已被證實發(fā)生在非直接受照射細胞，稱之為輻射旁效應(yīng)，研究其過程和機制對輻射防護和精確放療有重要意義。目前為止，細胞自

4、噬與輻射旁效應(yīng)的關(guān)系很少被研究。旁效應(yīng)可以通過細胞間縫隙連接(GJIC)介導。我們發(fā)現(xiàn)，細胞在低劑量α粒子照射下能誘導輻照區(qū)及旁區(qū)細胞自噬，參與組成細胞間縫隙連接(GJIC)的關(guān)鍵組成分子connexin43是細胞自噬系統(tǒng)的底物，并且能介導輻照區(qū)細胞產(chǎn)生的ROS向旁區(qū)細胞傳遞。輻照區(qū)細胞生成的ROS是輻照區(qū)和旁區(qū)細胞自噬的觸發(fā)因素。高劑量輻照誘導的ROS抑制細胞自噬，升高connexin43蛋白水平，促進輻照區(qū)細胞產(chǎn)生的ROS向旁區(qū)細胞