衛(wèi)星用典型SRAM存儲器空間輻射效應及模擬試驗方法研究.pdf

1、SRAM存儲器是衛(wèi)星電子系統(tǒng)的核心部件,開展SRAM存儲器的空間輻射效應研究及抗輻射性能評估對于保證衛(wèi)星在軌可靠運行具有重要意義。而國內現(xiàn)有方法一般只能對SRAM存儲器的抗輻射性能作出定性判斷,較難單獨研究SRAM存儲器的空間輻射效應規(guī)律,并且存在效應測量方法不統(tǒng)一、失效評判依據(jù)各異等問題,較難滿足SRAM存儲器的抗輻射性能評估對試驗方法的需求。
　　本文通過測量60Coγ射線輻照和輻照后加速退火條件下SRAM存儲器典型直流參數(shù)、

2、交流參數(shù)及功能參數(shù)變化情況,研究了SRAM存儲器的電離總劑量效應規(guī)律,選取了存儲數(shù)據(jù)邏輯狀態(tài)出錯(WW≠O)、電源電流作為SRAM存儲器的電離總劑量效應敏感參數(shù);以重離子加速器為輻射源,測量了不同LET的重離子輻照下體硅和SOI工藝SRAM存儲器的單粒子翻轉效應,得到了器件的σ-LET曲線,并預估了兩種軌道下器件的空間單粒子翻轉率。在以上研究基礎上,建立了SRAM存儲器的空間輻射效應模擬試驗方法。
　　研究結果已經(jīng)應用到八院院標《