面向三維集成的硅通孔互連信號(hào)完整性與電氣建模研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩91頁未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、幾十年以來,電子系統(tǒng)一直朝著高性能、小型化、低成本、低功耗和多功能的趨勢發(fā)展。為滿足這一發(fā)展需求,三維集成逐漸成為滿足應(yīng)用需求的關(guān)鍵技術(shù)。在三維集成系統(tǒng)或三維芯片中,硅通孔(Through Silicon Via,TSV)是其核心技術(shù),它能夠?yàn)槎询B芯片實(shí)現(xiàn)短的垂直互連。本論文針對三維集成中的硅通孔互連技術(shù)從高速信號(hào)完整性、硅通孔電氣建模與硅通孔MOS電容效應(yīng)幾個(gè)方面展開深入的研究。本文主要研究工作可以概括為:
  一、對TSV集成

2、技術(shù)和工藝技術(shù)進(jìn)行了學(xué)習(xí)和調(diào)研,在此基礎(chǔ)上,建立TSV互連通道的三維全波仿真模型,對其結(jié)構(gòu)和材料參數(shù)進(jìn)行詳細(xì)的頻域仿真分析,對比研究各項(xiàng)參數(shù)對其傳輸特性的影響規(guī)律,得出具有實(shí)用價(jià)值的設(shè)計(jì)指導(dǎo)意見。
  二、在對串?dāng)_機(jī)理深入研究的基礎(chǔ)上,針對TSV互連之間的串?dāng)_問題分為以下幾方面進(jìn)行了深入細(xì)致的研究:1)在頻域仿真的基礎(chǔ)上,利用SPICE仿真工具從時(shí)域角度更為直觀地評(píng)估TSV結(jié)構(gòu)和材料配置對串?dāng)_的影響;2)分析多攻擊線對串?dāng)_噪聲的影

3、響;3)仿真研究不同TSV陣列布局對TSV之間串?dāng)_的影響,并為抑制串?dāng)_提供技術(shù)參考。
  三、針對后通孔工藝制作的帶微凸塊地-信號(hào)-地硅通孔互連通道,基于物理結(jié)構(gòu)的RLGC解析公式,對通道的各個(gè)部位建立參數(shù)可調(diào)的等效電路模型。該等效電路模型中的每個(gè)元件都代表著明確的物理意義。此外,結(jié)合三維場求解工具對該TSV互連通道模型的仿真結(jié)果,驗(yàn)證該等效電路模型在0.1-20 GHz寬頻帶內(nèi)的準(zhǔn)確性和可伸縮性。
  四、針對TSV的MO

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論