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文檔簡介
1、利用動電位極化曲線、電化學阻抗譜、電化學噪聲及掃描電子顯微鏡(SEM)研究了純鎂、Mg—10Gd—2Y-0.5Zr(GW102K)鎂合金、A291D在不同厚度薄液膜下的腐蝕行為,同時對氧氣在純鎂在薄液膜下腐蝕過程中的作用及T4處理對A291D在薄液膜下腐蝕行為的影響進行了探討?;谏⒘T肼暫碗S機理論,分別利用Weibull和Gumbel函數(shù)對純鎂和GW102K鎂合金腐蝕過程的電化學噪聲數(shù)據(jù)進行統(tǒng)計分析,并探討了純鎂和GW102K在薄液膜
2、下的腐蝕機制。 實驗結(jié)果表明:在薄液膜下,鎂及鎂合金腐蝕的陰極和陽極過程都受到了抑制,腐蝕類型比本體溶液下的更趨于局部腐蝕。薄液膜和本體溶液下純鎂及其合金腐蝕的陰極過程都受氫還原控制,陰極過程隨著液膜厚度的減小而變緩。氧氣的存在使純鎂腐蝕陰極過程和陽極過程都減緩,但對陰極過程的抑制作用并不明顯,而對陽極過程的抑制作用很明顯。與本體溶液相比,薄液膜對純鎂腐蝕的陽極過程有正反兩方面的作用。一方面,薄液膜使點蝕的孕育速度減緩,腐蝕事件
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