疊層鈍化及一種高效太陽能電池的研究.pdf

1、隨著能源問題的惡化，發(fā)展和利用太陽能電池技術(shù)成為現(xiàn)今世界的主流，目前單晶和多晶太陽能電池仍然占據(jù)市場的主要份額，如何提高此類太陽能電池的效率是當前我們必須面臨的主要問題。論文結(jié)合生產(chǎn)研究SiO2和SiNx疊層鈍化對單晶太陽能電池性能的影響，高陷光表面減反層對多晶太陽能電池的各項性能的影響，以及一些擴散的調(diào)試工作心得和相應(yīng)的少子壽命研究。
　　 高溫氧化得到SiO2膜對晶體硅電池有非常好的鈍化效果，它在硅片表面形成Si-O鍵，能夠

2、有效的減少表面缺陷，從而達到降低表面復合速率的目的，最終提高Si片的少子壽命極大地提高電池的性能，熱氧SiO2膜主要是依賴于降低表面態(tài)的鈍化方式，使界面電荷濃度很低。SiNx薄膜是常規(guī)工藝生產(chǎn)中的得到主要應(yīng)用的光學薄膜，一方面沉積SiNx薄膜的過程中伴隨著有H離子注入的過程，在這個過程中，H離子的注入起到相對良好的鈍化效果，另一方面，常規(guī)的PECVD工藝比較容易實現(xiàn)良好的減反薄膜，形成75nm的光學薄膜只需要20min左右。常規(guī)的熱氧氧

3、化成膜比較緩慢，長時間的氧化的環(huán)境下才能形成10nm-20nm，所以本論文通過在熱氧氧化形成一層致密的SiO2層的基礎(chǔ)上再通過PECVD工藝沉積一層高質(zhì)量，高折射率的減反膜最終探究SiO2和SiNx雙層膜對優(yōu)化太陽能電池各項電性能的影響。
　　 單晶硅是通過各向異性進行腐蝕的，由于不同晶面族的鍵能和懸掛鍵的差異，會導致在堿液中有不同的腐蝕速率，最終形成金字塔結(jié)構(gòu)，多晶硅沒有單晶硅的各向異性，只能形成腐蝕坑狀結(jié)構(gòu)，所以多晶制絨的減