基于電源電壓調(diào)整技術(shù)的低功耗SRAM設(shè)計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著手持電池供電設(shè)備的普及，功耗逐漸成為大規(guī)模集成電路設(shè)計最關(guān)心的問題。盡管各種低功耗技術(shù)層出不窮，但是降低電源電壓無疑是最直接最有效的辦法。嵌入式SRAM在片上系統(tǒng)中占據(jù)很大的面積，是一種很重要的功能模塊，它們的容量一般是幾千到幾兆比特不等。SRAM性能很大程度上受到電源電壓的影響，電源電壓的降低能夠減小SRAM的操作速度，而且衡量存儲數(shù)據(jù)穩(wěn)定性的兩個指數(shù)讀噪聲容限和寫噪聲容限也會隨著電源電壓的降低而降低。電源電壓調(diào)整技術(shù)就是較低的電

2、源電壓的前提下提升被操作單元的字線電壓和單元供電線電壓以達(dá)到提高讀噪聲容限、寫噪聲容限和操作速度的目的。
　　本文基于電源電壓調(diào)整技術(shù)采用0.18微米工藝設(shè)計了一個4KB的SRAM，主要由存儲單元陣列、升壓電路、電壓選擇電路、位線充電控制電路、列選擇電路、地址譯碼器和靈敏放大器組成。另外,還采用SMIC公司180nM工藝設(shè)計了SRAM的版圖，并進(jìn)行了DRC和LVS驗證，版圖的面積為：139511μm2。
　　本文基于電源電壓

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