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文檔簡介
1、CH<,4>部分氧化制取合成氣是近年來C<,1>化學的熱點研究課題之一,本文采用計算機分子模擬技術(shù)對該過程中的若干關(guān)鍵過程進行了計算與分析.為提高計算的準確度,本文建立了一個包含13個Ni原子的周期性表面,一定程度上消除了邊界效應的影響,并采用嵌入法引入反應物,通過結(jié)構(gòu)優(yōu)化計算確定吸附位及空間結(jié)構(gòu).首次系統(tǒng)地研究了CH<,x>(x=0~4)在Ni(111)表面的吸附和解離過程,計算出了CH<,x>(x=0~4)在Ni(111)表面吸附的
2、位置、空間結(jié)構(gòu)和能量,并使用LST/QST方法找到了CH<,x>(x=1~4)的解離路徑和過渡態(tài),計算出各解離步驟的活化能和解離能,并進行了必要地分析.同時,采用Mulliken電荷分析方法對計算結(jié)果的正確性予以校驗.提出了CH<,4>部分氧化反應過程中CO的兩條可能生成途徑,分析并計算了兩條途徑的反應路徑及活化能.本研究以量子化學理論為基礎(chǔ),應用密度泛函理論(DFT),建立了周期性的分子模型(vaccum slab),對CH<,4>在
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