雙H橋中頻磁控濺射電源研究.pdf

1、為了克服直流濺射中的靶面拉弧問題，近年來提出了新型的用于等離子體噴濺的脈沖電源，即交流濺射電源。從理論上分析了主電路適合等離子體濺射的原理，使用了移相控制方式，有效地提高了功率開關(guān)的頻率，從而大大減小了電源的體積，使得安裝運(yùn)輸方便化，優(yōu)化了電源設(shè)計。
　　 采用串聯(lián)雙H橋逆變的方法，達(dá)到了提高電源輸出電壓的效果。同時，電源裝置中使用雙靶轉(zhuǎn)換技術(shù)，使得各個金屬靶之間可以自由轉(zhuǎn)換，且轉(zhuǎn)換安全可靠的特點。
　　 以往鍍膜中的電

2、源都被設(shè)計為輸出恒定電流的電源，通過恒定的電流控制濺射方式，這次則研究了恒壓電源在鍍膜技術(shù)中的應(yīng)用，并且經(jīng)過實際的試驗證明了恒壓中頻電源穩(wěn)定應(yīng)用在鍍膜技術(shù)中。
　　 論文的主要內(nèi)容是按以下順序依次介紹的：
　　 介紹主電路，主要介紹了主電路中的兩次逆變，其中逆變電路采用最新的逆變思想(逆變電路串聯(lián)——雙H橋)和開關(guān)器件——雙絕緣柵型雙極晶體管IGBT。并詳細(xì)闡述了高頻變壓器的設(shè)計與制作方式。
　　 論述控制電路，

3、由于提高逆變電源的頻率是減小逆變電源體積、消除噪聲的關(guān)鍵性問題，先介紹了制約逆變器電源高頻化的主要因素——電力開關(guān)器件的工作狀態(tài)，闡述了軟開關(guān)技術(shù)的起因和分類，詳細(xì)地介紹了軟開關(guān)技術(shù)的發(fā)展歷程和在各個階段的典型代表電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，指出了他們的優(yōu)缺點。在分析了限制逆變電源高頻化因素的基礎(chǔ)上，綜合了軟開關(guān)技術(shù)的最新研究成果，并分析設(shè)計了移相式PWM軟開關(guān)控制技術(shù)及電路的控制策略。
　　 設(shè)計保護(hù)電路，有過電流保護(hù)電路，過電壓保護(hù)電路，