微波裸芯片測(cè)試與老化臨時(shí)封裝技術(shù)的研究.pdf

1、無(wú)線通信系統(tǒng)的小型化、智能化要求高性能、高集成度和高可靠性的微波組件或模塊。微波組件和模塊的廣泛應(yīng)用促進(jìn)了對(duì)微波裸芯片的大量需求?，F(xiàn)有的技術(shù)條件下微波裸芯片主要是通過(guò)常溫下的探針測(cè)試而獲得一定質(zhì)量保障的裸芯片，但高可靠應(yīng)用場(chǎng)合需要對(duì)裸芯片進(jìn)行-55℃～150℃溫度范圍的性能測(cè)試和高溫老練篩選，因此如何保證所使用的微波裸芯片能夠達(dá)到用戶所需要的質(zhì)量等級(jí)和可靠性水平成為一個(gè)急需解決的問(wèn)題。 本文在分析國(guó)內(nèi)外裸芯片的測(cè)試篩選技術(shù)的基礎(chǔ)

2、上，提出了采用微波裸芯片測(cè)試和老練篩選臨時(shí)封裝夾具的方法實(shí)現(xiàn)對(duì)微波裸芯片的測(cè)試和老練篩選。通過(guò)研制一套臨時(shí)封裝載體，利用該臨時(shí)封裝載體對(duì)微波裸芯片進(jìn)行裝載后，實(shí)現(xiàn)對(duì)微波裸芯片的高低溫測(cè)試和高溫老化篩選。本文研究分析了微波傳輸線、阻抗匹配設(shè)計(jì)、熱效應(yīng)影響、微波信號(hào)接口與接地、裸芯片與電氣互連襯底的電接觸、寄生電容電感等對(duì)微波裸芯片臨時(shí)封裝載體的影響因素和設(shè)計(jì)要求，完成了對(duì)微波裸芯片電氣互連襯底和為電氣互連襯底提供機(jī)械支撐的夾具部分的設(shè)計(jì)。

3、選擇微帶線作為微波信號(hào)的傳輸線，在阻抗匹配的設(shè)計(jì)方面采用50歐姆特征阻抗，夾具的底座使用導(dǎo)電性能與導(dǎo)熱性能優(yōu)良的銅金屬材料，采用金屬凸點(diǎn)的連接方式實(shí)現(xiàn)裸芯片與襯底的電氣互連。選用PPS高溫材料注塑獲得了符合設(shè)計(jì)和使用要求的夾具支撐結(jié)構(gòu)；選擇聚酰亞胺及羅杰斯RT5880材料及合適工藝獲得了電氣互連襯底。 用WFDxx和WFDxxx兩種微波單片集成電路（MMIC）功率放大器裸芯片對(duì)夾具以及電氣互連襯底進(jìn)行了驗(yàn)證，實(shí)現(xiàn)了常溫下的微波裸