基于商用工藝的抗輻射SRAM設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn).pdf

1、靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器作為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器大家族的主要成員，是世界上應(yīng)用最廣泛的存儲(chǔ)器，它是數(shù)字處理、信息處理、自動(dòng)控制設(shè)備中不可缺少的部件。隨著空間技術(shù)的快速發(fā)展，越來越多的SRAM器件被應(yīng)用到各類航天器和衛(wèi)星的控制系統(tǒng)中。SRAM對單粒子效應(yīng)十分敏感，是宇航級(jí)微處理器中最脆弱的部件。因此，研究SRAM的單粒子效應(yīng)和加固技術(shù)具有重大的現(xiàn)實(shí)意義和明確的應(yīng)用價(jià)值。 本文重點(diǎn)研究了基于商用工藝的抗輻射SRAM設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)，基于設(shè)計(jì)加固的HIT、D

2、ICE和10T單元，設(shè)計(jì)了一款8 Kb大小的SRAM，完成了測試芯片的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)，完成了輻射效應(yīng)測試系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。 對HIT、DICE和10T等設(shè)計(jì)加固SRAM單元的抗SEU機(jī)理進(jìn)行了分析，對它們的常規(guī)性能進(jìn)行了比較。分析了DICE單元在深亞微米工藝下的失效機(jī)制，提出了一種新型的混合加固SRAM單元。通過引入多個(gè)小電阻，以適度的面積代價(jià)獲得了極大的SEU性能提高。混合加固的DICE單元版圖面積較普通DICE單元增加了85％。臨界電