COF基板精細(xì)線路制作工藝研究.pdf

1、新一代封裝技術(shù)COF（Chip On Flex or Chip On Film）封裝由于其滿足短小輕薄發(fā)展趨勢(shì)，成為平板顯示器驅(qū)動(dòng)IC封裝的主要方式之一。COF封裝模塊的重要組成部分—COF撓性基板的需求日益增加，目前國內(nèi)COF撓性基板供應(yīng)商很少，僅僅處于探索研究階段。驅(qū)動(dòng)IC集成度提高使I/O端的間距趨于微細(xì)，這就要求COF撓性基板的線寬線距與驅(qū)動(dòng)IC封裝相適應(yīng)。因此，超精細(xì)線路COF撓性基板成為研究熱點(diǎn)。本論文主要針對(duì)單面COF撓性

2、基板小批量生產(chǎn)、雙面COF撓性基板精細(xì)線路樣品制作工藝進(jìn)行了大量的研究工作，并取得以下成果：
　　表面處理工藝性能方面：通過對(duì)目前常用表面處理工藝（過硫酸鹽/硫酸體系、雙氧水/硫酸體系和棕化液體系）性能進(jìn)行對(duì)比，發(fā)現(xiàn)三種表面處理工藝效果都可以滿足COF基板的生產(chǎn)要求。
　　片式減成法工藝制作單面COF基板研究：通過基材尺寸穩(wěn)定性測試，證明課題中所使用的基材滿足COF撓性基板生產(chǎn)要求。通過對(duì)杜邦RISTON FX-915和FX

3、-930干膜性能進(jìn)行研究，選擇FX-915干膜作為光致抗蝕劑。對(duì)玻璃菲林制作精細(xì)線路工藝參數(shù)進(jìn)行了正交優(yōu)化試驗(yàn)，得到最佳工藝參數(shù)：曝光級(jí)數(shù)5級(jí)、顯影速度1.8m/min、蝕刻線速度3.3-3.5m/min、噴淋壓力2.1-2.5kg/cm2。
　　半加成法工藝制作COF基板研究：對(duì)雙氧水/硫酸蝕刻液的性能進(jìn)行了研究，找出蝕刻速度與濃度、溫度的關(guān)系曲線，為半加成法差分蝕刻提供參考。為了獲得便宜的超薄銅箔覆銅板，對(duì)12μm銅箔厚度基材

4、進(jìn)行蝕刻減薄工藝研究，發(fā)現(xiàn)微蝕刻減薄后表面均勻性要明顯優(yōu)于蝕刻減薄。
　　雙面COF基板孔金屬化研究：對(duì)比后選擇等離子清洗和黑孔化工藝。
　　雙面COF撓性基板精細(xì)線路制作研究：研究液態(tài)抗蝕劑的性能，對(duì)應(yīng)用液態(tài)光致抗蝕劑制作精細(xì)線路的工藝參數(shù)進(jìn)行正交優(yōu)化試驗(yàn)，得到了最佳的工藝參數(shù)組合：曝光級(jí)數(shù)5級(jí)，顯影速度2.1m/min，蝕刻速度4.0m/min，蝕刻壓力3.0kg/cm3。
　　小批量試制單面COF撓性基板：根據(jù)上