電針對(duì)腦缺血再灌注大鼠腦內(nèi)血管新生影響的研究.pdf

1、目的:缺血性腦血管病遺留的神經(jīng)功能障礙一直是困擾人類醫(yī)學(xué)的難題。隨著對(duì)缺血性腦血管病研究的深入，發(fā)現(xiàn)腦缺血后相當(dāng)部分的血管能自然再通或溶栓治療后血流恢復(fù)再通，但隨之出現(xiàn)再灌注損傷。治療性血管新生方法的出現(xiàn)，為缺血性腦血管病的治療開辟了一條通向缺血性腦血管病血管再生的新途徑。研究發(fā)現(xiàn)，適當(dāng)?shù)卣{(diào)控治療性血管生成的進(jìn)程對(duì)有效的改善腦缺血很有必要。血管新生的調(diào)節(jié)途徑主要包括兩條：一條是血管內(nèi)皮生長(zhǎng)因子(vascular endothelialg

2、rowth factor，VEGF)及其受體(flt-1等)調(diào)節(jié)通路，另一條是血管生成素(angiopoietin，Ang)及其受體(Tie)調(diào)節(jié)通路，這兩條途徑協(xié)同作用，共同促進(jìn)機(jī)體血管形成。血管內(nèi)皮生長(zhǎng)因子是已知的促進(jìn)血管生長(zhǎng)作用最強(qiáng)的細(xì)胞因子，VEGF/VEGFR系統(tǒng)激活使內(nèi)皮細(xì)胞增生并誘導(dǎo)新生血管形成，新生血管從正常腦組織向半暗帶及缺血中心區(qū)延伸，增加受累腦組織再灌注及供氧量，從而減輕缺血再灌注損傷。Ang-1/Tie-2調(diào)節(jié)通

3、路對(duì)于血管生成過程中血管的成熟與穩(wěn)定、調(diào)控血管的完整性有重要意義。血管生成素-(Ang-1)可以抑制血管內(nèi)皮細(xì)胞的凋亡，減輕腦缺血后血腦屏障的滲漏從而減小梗死體積，促進(jìn)血管內(nèi)皮細(xì)胞的出芽與遷徙。本課題選用大腦中動(dòng)脈栓塞制備腦缺血再灌注模型，觀察電針對(duì)VEGFmRNA、Ang-1mRNA/Tie-2和對(duì)腦內(nèi)血管新生的影響，探討電針抗腦缺血再灌注損傷的可能機(jī)制。 方法:采用SD大鼠隨機(jī)分為模型組(按缺血再灌注1d、2d、4d和8d分

4、4個(gè)亞組)、電針組(按缺血再灌注1d、2d、4d和8d分別加電針刺激分為4個(gè)亞組)、假手術(shù)組、正常對(duì)照組，每組10只，共100只。采用改進(jìn)的Longa線栓法，制備大腦中動(dòng)脈線栓法腦缺血再灌注模型。并采用Zea-Longa5級(jí)評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)對(duì)模型大鼠神經(jīng)功能障礙評(píng)分，只有神經(jīng)功能障礙在1級(jí)以上的大鼠才能保留下來。電針組選用疏密波刺激“百會(huì)”、“水溝”、雙側(cè)“足三里”穴。運(yùn)用免疫組化法檢測(cè)各組大鼠右側(cè)大腦皮層的CD34陽性微血管密度和Tie-2表

5、達(dá)的變化；運(yùn)用原位雜交法檢測(cè)各組大鼠右側(cè)大腦皮層中的VEGFmRNA和Ang-1mRNA表達(dá)水平；并對(duì)各指標(biāo)的時(shí)程變化和電針干預(yù)的影響進(jìn)行分析。所有數(shù)據(jù)均輸入計(jì)算機(jī)，以SPSS11.0軟件統(tǒng)計(jì)包處理。 結(jié)果:(1)模型組和電針組大鼠造模后出現(xiàn)不同程度的神經(jīng)功能缺損，腦缺血再灌注后各時(shí)點(diǎn)上，電針組各亞組神經(jīng)功能缺損評(píng)分明顯低于模型組相應(yīng)亞組的評(píng)分(P＜0.05)，表明電針可以減輕腦缺血再灌注后的神經(jīng)功能缺損；(2)模型組和電針組各

6、亞組大鼠缺血側(cè)大腦皮層均可見微血管增生，各時(shí)相電針組微血管密度高于模型組(P＜0.05)，說明電針能促進(jìn)腦缺血再灌注后的血管新生；(3)模型組和電針組各亞組大鼠缺血側(cè)大腦皮層VEGFmRNA表達(dá)水平升高，與正常組和假手術(shù)組比較有明顯差異(P＜0.05)，電針組各亞組大鼠缺血側(cè)大腦皮層VEGFmRNA表達(dá)水平明顯高于相應(yīng)時(shí)相的模型組亞組，兩組相同時(shí)相亞組間比較有顯著性差異(P＜0.05)，說明電針能上調(diào)腦缺血再灌注后大腦皮層的VEGFmR

7、NA表達(dá)水平。(4)模型組和電針組缺血再灌注2d、4d、8d亞組大鼠缺血側(cè)大腦皮層Ang-1mRNA和Tie-2表達(dá)水平升高，與正常組和假手術(shù)組比較有明顯差異(P＜0.05)，電針組缺血再灌注2d、4d、8d各亞組大鼠缺血側(cè)大腦皮層Ang-1mRNA和Tie-2表達(dá)水平明顯高于相應(yīng)時(shí)相的模型組亞組，兩組相同時(shí)相亞組間比較有顯著性差異(P＜0.05)，說明電針能上調(diào)腦缺血再灌注后大腦皮層的Ang-1mRNA和Tie-2表達(dá)水平。