電針對腦缺血再灌注大鼠腦內(nèi)PDGF-B及TGF-β1影響的研究.pdf

1、目的：缺血性腦血管病，又稱為腦梗死，是指由于腦部血液供應(yīng)障礙，缺血、缺氧引起了腦組織壞死軟化的腦血管疾病。據(jù)有關(guān)資料顯示，腦梗死的發(fā)病率為100-300/10萬，死亡率為50-100/10萬，存活者中50％-70％留有殘疾，為家庭和社會帶來了沉重的經(jīng)濟和社會負(fù)擔(dān)。隨著社會老齡化進程的加快，腦血管病的病死率在增加，是目前世界范圍內(nèi)人類致死的主要原因之一。 腦缺血研究中發(fā)現(xiàn)，當(dāng)供應(yīng)腦組織的動脈一支或多支閉塞時，血流的剪切力發(fā)生改變，

2、引起腦組織局部血流下降，梗塞周邊組織形成高流區(qū)域，我們稱它為半暗帶，半暗帶神經(jīng)元損傷是可逆的，是治療缺血性腦卒中的基礎(chǔ)。研究表明，腦組織缺血后形成的梗死病灶是由中心壞死區(qū)及其周圍的缺血半暗帶組成，細(xì)胞凋亡主要出現(xiàn)在缺血半暗帶內(nèi)，挽救保護半暗帶可逆的神經(jīng)元是改善缺血性腦血管病預(yù)后的關(guān)鍵。最近的研究表明，腦缺血后神經(jīng)元的修復(fù)不僅與營養(yǎng)因子、生長相關(guān)因子表達等有關(guān)，還取決于缺血區(qū)血管新生營造的微環(huán)境。腦血管閉塞以后，缺血區(qū)血管增生，有自發(fā)形成

3、側(cè)支循環(huán)趨向，但不足以代償原有的血供，缺血得不到糾正。正是由于缺血部位的血流量減少不能激活足夠濃度血管新生所需要的生長因子，導(dǎo)致了機體內(nèi)源性側(cè)支循環(huán)難以建立。 目前促進腦缺血后的血管新生的臨床嘗試尚不成熟，且具有較大的副作用，仍有許多問題有待解決。治療性血管新生在治療腦血管病中存在的不足促使我們把目光投向中醫(yī)學(xué)。針刺治療缺血性腦血管病的良好療效，已被多年的醫(yī)療實踐所肯定。絡(luò)病理論認(rèn)為，缺血性腦血管病的病機多為腦之脈絡(luò)瘀塞，脈絡(luò)末

4、端供血供氣、津血互換障礙，引起腦之脈絡(luò)失養(yǎng)、腦神失用。這與現(xiàn)代醫(yī)學(xué)關(guān)于缺血性腦血管病是由于缺血因素導(dǎo)致急驟發(fā)作的局灶/半球的腦功能障礙的認(rèn)識不謀而合。在導(dǎo)師帶領(lǐng)的課題組前期研究工作的基礎(chǔ)上，進一步從血管新生的角度研究電針對急性腦缺血損傷的保護機制有著較為重要的理論價值和現(xiàn)實意義。 方法：將清潔級SD大鼠隨機分為模型組24只(按缺血再灌注1d、2d、4d、8d分4個亞組，每個亞組6只)、電針組24只(按缺血再灌注1d、2d、4d、

5、8d分別加電針刺激分4個亞組，每個亞組6只)、假手術(shù)組6只(頸部切開后，僅分離CCA及IPA至PPA，不插線栓)、正常對照組6只(不予處理，正常給水給食)。采用線栓大腦中動脈致局灶性腦缺血模型，電針“水溝”、“內(nèi)關(guān)”、“百會”穴，接G6805-Ⅱ型電針治療儀，疏密波，每次持續(xù)刺激30min，于缺血再灌注2h后行第1次電針刺激，每隔12h再電針刺激1次。運用行為觀察法檢測各組大鼠神經(jīng)癥狀學(xué)評分；運用免疫組織化學(xué)法檢測各組大鼠缺血側(cè)大腦皮層

6、微血管計數(shù)、血小板衍生生長因子(PDGF)及其受體(PDGF—R)蛋白表達的變化；運用原位雜交法檢測各組大鼠缺血側(cè)大腦皮層TGF—β1mRNA的變化，并進一步分析各指標(biāo)時空變化的規(guī)律及電針干預(yù)的影響。 結(jié)果： (1)電針組神經(jīng)癥狀學(xué)評分再灌注后1d組、2d、4d組、8d組分別和模型組相比，癥狀明顯減輕，評分有顯著性差異(p＜0.01，p＜0.05)。 (2)模型組CD34微血管在再灌注1d迅速上升，持繼升高至再灌

7、注8d。缺血壞死區(qū)周圍皮層表達明顯增多，排列密集，且強陽性表達，側(cè)腦室脈絡(luò)膜、室管膜細(xì)胞及周圍小血管的內(nèi)皮細(xì)胞胞漿呈棕黃色。電針組與模型組表達規(guī)律基本一致，但更加廣泛。再灌注各時間點，電針組與模型組組比較均有顯著差異(P＜0.01或0.05)。 (3)缺血30min再灌注1d，PDGF—B和PDGFR—β的免疫染色增強，主要位于缺血區(qū)及其周圍的小膠質(zhì)細(xì)胞、星形膠質(zhì)細(xì)胞以及血管內(nèi)皮細(xì)胞中表達增多。梗死區(qū)周圍神經(jīng)元的特異性PDGF—

8、B免疫染色于第4d顯著增強，陽性細(xì)胞數(shù)也增加。而PDGFR—β的特異性免疫染色于缺血再灌注第8d顯著增強。電針組PDGF—B和PDGFR—β的表達從再灌注后1d至8d均較模型組升高更加明顯(P＜0.05)，表達部位與模型組大致相同，但胞漿染色更深，范圍更加廣泛。 (4)再灌注1d后缺血周邊區(qū)組織間隙TGF—β1mRNA的表達明顯增強。再灌注2d達高峰，并持續(xù)至第8d。經(jīng)過電針治療后，電針1d、2d組的TGF—β1mRNA表達細(xì)胞

9、的數(shù)量與同時間段的模型組比較有明顯增加(P＜0.05)，而電針4d、8d組缺血腦組織TGF—β1mRNA陽性表達細(xì)胞數(shù)較相應(yīng)模型組有增加的趨勢，但無統(tǒng)計學(xué)意義(P＞0.05)。 結(jié)論： 電針能較有效地改善大鼠腦缺血后的神經(jīng)癥狀學(xué)評分，不僅是早期，晚期8d組仍有效改善預(yù)后，促進其神經(jīng)功能恢復(fù)。通過CD34標(biāo)記，電針刺激后缺血區(qū)周圍微血管計數(shù)比模型組明顯增多，表明電針改善腦缺血的神經(jīng)癥狀的機制之一是促進了缺血再灌注后的新血管

10、形成。 腦缺血再灌注可以誘導(dǎo)PDGF—B、PDGFR—β和TGF—β1mRNA的表達。其表達代償性增加，提示它們參與了缺血/再灌注的腦細(xì)胞級聯(lián)反應(yīng)，在損傷腦的愈合過程中起到保護作用。而電針激活內(nèi)源性血管新生機制，與上調(diào)PDGF—B、PDGFR—β和TGF—β1mRNA的表達有關(guān)。通過進一步分析各組缺血側(cè)皮層PDGF—B、PDGFR—β和TGF—β1mRNA表達的時間規(guī)律，認(rèn)為TGF—β1mRNA的活化可能是針刺促進血管新生發(fā)揮對