已閱讀1頁，還剩69頁未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀
版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、本論文是與海外某公司合作研究的課題。低壓功率 VDMOSFET在開關(guān)電源、功率電機(jī)控制和橋式電路等應(yīng)用中十分廣泛，以上應(yīng)用電路都要求功率 MOS具有良好的開關(guān)速率和高效性能。本項(xiàng)目主要針對(duì)影響器件開關(guān)速率和高效性能的反向恢復(fù)電荷、柵電荷進(jìn)行優(yōu)化和改進(jìn)。
論文先對(duì)器件基本特性參數(shù)(Vth、Qrr、VBR、Ron、Qg)進(jìn)行了詳細(xì)分析，之后為降低器件反向恢復(fù)電荷進(jìn)行了結(jié)構(gòu)優(yōu)化，器件優(yōu)化后反向恢復(fù)電荷減小了30.1％，達(dá)到了項(xiàng)目的要
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 溝槽型功率MOSFET設(shè)計(jì)與柵電荷研究.pdf
- 功率VDMOSFET體二極管的優(yōu)化研究.pdf
- 液力變矩器葉柵參數(shù)優(yōu)化及造型研究.pdf
- 200V大功率VDMOSFET設(shè)計(jì)研究.pdf
- 納米時(shí)柵傳感結(jié)構(gòu)及參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì).pdf
- 微銑削功率建模及參數(shù)優(yōu)化研究.pdf
- 高壓功率VDMOSFET的設(shè)計(jì)與研制.pdf
- 功率VDMOSFET終端結(jié)構(gòu)的擊穿特性研究與設(shè)計(jì).pdf
- 低壓CMOS電荷泵的設(shè)計(jì)及應(yīng)用.pdf
- 電荷、電壓、電流、功率
- 大功率柴油機(jī)燃燒過程參數(shù)化分析及系統(tǒng)參數(shù)優(yōu)化匹配研究.pdf
- 0.8微米低壓鋁柵關(guān)鍵工藝技術(shù)研究與設(shè)計(jì)規(guī)則優(yōu)化
- 低壓減載參數(shù)優(yōu)化問題的分布式計(jì)算研究.pdf
- CDMA過載功率參數(shù)與天線參數(shù)的優(yōu)化與應(yīng)用.pdf
- 低壓渦輪葉柵流動(dòng)分離控制及其機(jī)理研究.pdf
- 高功率微波極化雙工柵的研究.pdf
- 低壓高功率超輻射返波管研究.pdf
- 壓氣機(jī)葉柵流動(dòng)研究及優(yōu)化平臺(tái).pdf
- CDMA網(wǎng)絡(luò)過載功率參數(shù)與天線參數(shù)的優(yōu)化與應(yīng)用.pdf
- 背載葉形液力緩速器葉柵系統(tǒng)參數(shù)優(yōu)化.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論