電刺激大鼠癲癇模型及基因芯片檢測(cè)谷胱苷肽-巰-轉(zhuǎn)移酶基因的表達(dá).pdf

1、目的:通過電刺激Wisar大鼠海馬(分為單側(cè)點(diǎn)燃、雙側(cè)點(diǎn)燃及左右側(cè)交替點(diǎn)燃三組)來建立復(fù)雜部分性癲癇的動(dòng)物模型,觀察三者在點(diǎn)燃時(shí)間和發(fā)作強(qiáng)度上的差異,并分析出現(xiàn)此種差異的可能原因,探討三種方法在建立癲癇動(dòng)物模型中的可能機(jī)制.同時(shí)通過對(duì)耐藥性癲癇動(dòng)物模型的研究,探討難治性癲癇耐藥的基因機(jī)制.研究谷胱甘肽-巰-轉(zhuǎn)移酶在難治性癲癇病人腦組織中的表達(dá),探索其在難治性癲癇形成中的作用.方法:健康Wistar大鼠60只,隨機(jī)分成三組:單側(cè)點(diǎn)燃組、雙

2、側(cè)同時(shí)點(diǎn)燃組、雙側(cè)交替點(diǎn)燃組.按Goddard方法將電極分別植入左側(cè)海馬(單側(cè)),雙側(cè)海馬(雙側(cè)同時(shí)及交替點(diǎn)燃組),每日接受電刺激,刺激條件為:刺激強(qiáng)度400uA,頻率50Hz,波寬1ms.持續(xù)時(shí)間1s.雙側(cè)同時(shí)點(diǎn)燃組、雙側(cè)交替點(diǎn)燃組分別與單側(cè)點(diǎn)燃組作比較,觀察點(diǎn)燃速度和點(diǎn)燃成功率的差異.然后用苯妥英鈉(Pheytoin,PHT)按Loscher的方法篩選出8只耐藥的大鼠,7只有效大鼠,應(yīng)用含有4096條人類全長(zhǎng)基因的cDNA芯片,對(duì)兩

3、者腦組織的基因表達(dá)譜進(jìn)行分析,了解癲癇耐藥性產(chǎn)生的基因機(jī)制.同時(shí)還用基因芯片檢測(cè)難治性癲癇病人腦組織中谷胱甘肽-巰-轉(zhuǎn)移酶的表達(dá),并與正常對(duì)照組進(jìn)行比較.結(jié)論:1、海馬電刺激點(diǎn)燃耐PHT大鼠模型是目前較為理想的耐藥性癲癇模型,此種模型有利于進(jìn)行難治性癲癇耐藥機(jī)制的研究.2、通過部分表達(dá)差異顯著的基因分析,提示難治性癲癇耐藥的原因與耐藥基因的表達(dá)有關(guān).3、難治性癲癇病人腦組織中谷胱甘肽-巰-轉(zhuǎn)移酶作用增強(qiáng),提示其可能參加了難治性癲癇的形成