南京航空航天大學(xué)868電離輻射探測(cè)學(xué)真題2018年碩士研究生入學(xué)考試初試試題

1、科目代碼：868科目名稱：電離輻射探測(cè)學(xué)第1頁(yè)共2頁(yè)南京航空航天大學(xué)南京航空航天大學(xué)2012018年碩士碩士研究生入學(xué)考試初試試題研究生入學(xué)考試初試試題（A卷）科目代碼:868滿分:150分科目名稱:電離輻射探測(cè)學(xué)注意:①認(rèn)真閱讀答題紙上的注意事項(xiàng)；②所有答案必須寫在答題紙上，寫在本試題紙或草稿紙上均無①認(rèn)真閱讀答題紙上的注意事項(xiàng)；②所有答案必須寫在答題紙上，寫在本試題紙或草稿紙上均無效；③本試題紙須隨答題紙一起裝入試題袋中交回！效；③

2、本試題紙須隨答題紙一起裝入試題袋中交回！一、選擇題（每題8分，共40分）1.利用高純鍺探測(cè)器測(cè)得的γ能譜上出現(xiàn)了雙逃逸峰，其形成可歸因于：(1).電子和正電子逃逸出探測(cè)器的靈敏區(qū)域；(2).康普頓散射光子和反沖電子逃逸出探測(cè)器的靈敏區(qū)域；(3).正電子湮滅產(chǎn)生的兩個(gè)光子逃逸出探測(cè)器的靈敏區(qū)域；(4).正電子和湮滅的一個(gè)光子逃逸出探測(cè)器的靈敏區(qū)域。2.γ射線能譜上的反散射峰的存在可以歸因于：(1).探測(cè)器晶體中康普頓反散射；(2).探測(cè)器

3、周圍材料中康普頓反散射；(3).探測(cè)器周圍材料中湮滅光子；(4).探測(cè)器晶體中的多次康普頓散射。3.用電離輻射探測(cè)器測(cè)量γ射線能譜時(shí)，在全能峰與康普頓邊緣之間除了本底造成的計(jì)數(shù)外，下列哪個(gè)因素產(chǎn)生計(jì)數(shù)？(1).光電效應(yīng)；(2).周圍材料的康普頓散射；(3).探測(cè)材料中多次康普頓散射；(4).康普頓背散射。4.在半導(dǎo)體探測(cè)器中，PN結(jié)區(qū)的厚度決定探測(cè)器的探測(cè)效率和測(cè)量能量范圍，如何增加結(jié)區(qū)的厚度？（1）增加P區(qū)和N區(qū)的厚度；（2）增加加載

4、在PN結(jié)上的偏壓，增加半導(dǎo)體材料的雜質(zhì)濃度；（3）增加加載在PN結(jié)上的偏壓，減小半導(dǎo)體材料的雜質(zhì)濃度；（4）減小加載在PN結(jié)上的偏壓，增加半導(dǎo)體材料的雜質(zhì)濃度；5.電離輻射能譜可以分成單線譜和連續(xù)譜兩大類，下列哪組輻射全是單線譜？(1).α、β、γ輻射(2).α、內(nèi)轉(zhuǎn)電子、正電子湮滅輻射(3).特征X射線、韌致輻射、裂變碎片(4).β、俄歇電子、γ輻射二、簡(jiǎn)答題（每題10分，共60分）1.簡(jiǎn)述閃爍探測(cè)器探測(cè)γ射線的基本原理。2.簡(jiǎn)述正比

5、計(jì)數(shù)管中的雪崩現(xiàn)象及形成的過程。3.解釋?duì)蒙渚€測(cè)量中的累計(jì)效應(yīng)。4.在符合測(cè)量中，如果信號(hào)的相對(duì)延遲時(shí)間遠(yuǎn)大于系統(tǒng)的符合分辨時(shí)間，那么測(cè)得的符合是什么符合？符合計(jì)數(shù)率多少？5.中子探測(cè)通常有哪些方法？6.正比計(jì)數(shù)器在發(fā)生電子雪崩的過程中，除了加速電子與氣體分子的碰撞產(chǎn)生的電子之外，還有科目代碼：868科目名稱：電離輻射探測(cè)學(xué)第2頁(yè)共2頁(yè)哪些原因產(chǎn)生新的電子？三、計(jì)算題（每題10分，共50分）1.在正比計(jì)算管的內(nèi)壁涂上一層含硼的薄層用于中

6、子探測(cè)，薄層足夠薄可忽略中子反應(yīng)產(chǎn)物在薄層中能量損失，請(qǐng)寫出反應(yīng)方程式、計(jì)算產(chǎn)物所攜帶的能量，并畫出測(cè)得的能譜簡(jiǎn)圖。2.一個(gè)計(jì)數(shù)管測(cè)得一標(biāo)準(zhǔn)放射源的計(jì)數(shù)率為10000秒，當(dāng)在標(biāo)準(zhǔn)放射源邊上放置另一個(gè)完全相同的標(biāo)準(zhǔn)源時(shí)，計(jì)算管給出的計(jì)數(shù)率為19000秒。如果忽略本底信號(hào)，則該計(jì)數(shù)管的分辨時(shí)間為多少？（用兩種漏計(jì)數(shù)模型分析）3.利用雜質(zhì)濃度為N=1.5x1010（cm3）、介電常數(shù)為ε=12x8.85x1012(Fm)的半導(dǎo)體材料制備出一個(gè)

7、pn結(jié)用于電離輻射探測(cè)，如果在pn結(jié)兩端所加的偏壓為300V，試計(jì)算結(jié)區(qū)的厚度、單位面積的電容和結(jié)區(qū)最大電場(chǎng)。用這種探測(cè)器測(cè)量能量為100keV的帶電粒子，產(chǎn)生的電子空穴對(duì)的數(shù)量是多少？電子對(duì)漲落的方差是多少？（法諾因子為0.1產(chǎn)生一對(duì)電子空穴對(duì)所需的能量為3.76eV）4.測(cè)量放射性樣品時(shí)，測(cè)得樣品的計(jì)數(shù)率為1200min1，本底計(jì)數(shù)率為300min1，根據(jù)要求，測(cè)量誤差小于2%，如何分配測(cè)量樣品和本底的時(shí)間？5.分析并畫出圓柱體高純