碘化銦多晶提純及薄膜制備.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著化石能源的日益枯竭,風能、核能和光伏發(fā)電被譽為是解決全球能源和環(huán)境污染的三大技術(shù),其中核能的安全利用和檢測逐漸成為研究熱點。核輻射探測半導體材料有著廣闊的發(fā)展前景,而碘化銦(InI)晶體以其較大的禁帶寬度,電阻率和載流子遷移率-壽命積,較高的探測效率和能量分辨率等優(yōu)異性質(zhì),得到了國際核輻射探測材料研究領域的重點關(guān)注。
  鑒于碘化銦晶體在核輻射探測等領域的誘人前景,本文主要基于晶體缺陷和薄膜生長等結(jié)晶學理論,一方面探討了高純、

2、近化學計量比的碘化銦多晶的提純工藝,并對樣品的組分、結(jié)構(gòu)以及雜質(zhì)濃度進行了表征;另一方面探討了制備碘化銦多晶薄膜的具體生長工藝,通過對其結(jié)構(gòu)和光學性能的分析細致探討了碘化銦多晶薄膜應用到核輻射探測器中的可行性。
  首先,對碘化銦晶體的能帶結(jié)構(gòu)、晶體結(jié)構(gòu)等基本特性,晶體生長過程中幾種常見缺陷的形成機理及其影響,以及薄膜生長過程的各個階段進行了詳細論述和分析,為接下來的實驗提供了理論基礎。
  其次,通過對區(qū)熔提純原理以及碘化

3、銦多晶特性分析,獲得了適于碘化銦多晶區(qū)熔提純的速率、溫度等工藝參數(shù)。利用水平區(qū)熔法對碘化銦多晶進行了提純,最后通過X射線粉末衍射儀(XRD)、掃描電子顯微鏡-能譜儀(SEM-EDS)以及電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜儀(ICP-AES)對提純前后的碘化銦多晶的晶格結(jié)構(gòu)、形貌組分以及雜質(zhì)濃度進行了詳細表征。
  最后,采用真空蒸發(fā)法制備了碘化銦多晶薄膜,通過XRD、SEM以及紫外可見分光光度計(UV-Vis)對所制備的碘化銦多晶薄膜晶

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