銅催化芳基硼酸酰胺化和富電子芳烴區(qū)域選擇性C-H鍵磺酰氧化.pdf

1、隨著過渡金屬催化C-N鍵偶聯(lián)反應(yīng)的發(fā)展，涌現(xiàn)了許多N-芳基酰胺化合物的合成方法。相比之下，鹵代芳烴的酰胺化反應(yīng)通常面臨著鹵素取代的底物不兼容的問題，而簡單芳烴的C-H鍵酰胺化反應(yīng)往往面臨選擇性、需預(yù)官能團(tuán)化、不得不采用特殊芳烴以及貧電子芳烴不兼容的缺點(diǎn)。能否以一種高效可控、符合原子經(jīng)濟(jì)性的方法來有效構(gòu)建酰胺鍵，這對(duì)于藥物以及天然產(chǎn)物中間體的合成具有重大的意義。
　　除此之外，芳烴C-H鍵選擇性氧化也是近年來的研究熱點(diǎn)之一，如何在活

2、化芳烴C-H鍵的同時(shí)實(shí)現(xiàn)其區(qū)域選擇性的控制，確實(shí)面臨著不小的挑戰(zhàn)。除了特殊取代的芳烴如苯酚和苯酰胺類能實(shí)現(xiàn)對(duì)位C-H鍵選擇性氧化之外，簡單芳烴直接氧化通常會(huì)面臨選擇性的問題。另一種則是采取螯合輔助的方式，該方法雖然有效，但芳烴需要進(jìn)行額外的官能團(tuán)化，使得其在實(shí)用性方面受到一定的限制。
　　本論文主要分為以下兩部分:
　　第一章，我們利用腈對(duì)芳基硼酸的酰胺化反應(yīng)，發(fā)展了一種高效合成N-芳基酰胺的方法。該體系底物范圍廣，不僅能夠

3、同時(shí)兼容富電子官能團(tuán)、貧電子官能團(tuán)，而且也能適用于鹵代取代的底物。
　　第二章，我們發(fā)展了一種富電子芳烴/雜環(huán)芳烴區(qū)域選擇性的C-H鍵磺酰氧化反應(yīng)，電子效應(yīng)和位阻效應(yīng)使得磺酰氧化在富電子芳烴/雜環(huán)芳烴的特定位置發(fā)生。不僅如此，磺酰氧化后的產(chǎn)物能用于水解成酚，并且還可以作為親電試劑應(yīng)用于偶聯(lián)反應(yīng)中，大大拓寬了反應(yīng)底物的應(yīng)用范圍。
　　綜上所述，本文發(fā)展了一種新的合成N-芳基酰胺的方法，高效制備了各種取代的N-芳基酰胺化合物，改