用電學(xué)方法研究鉺氧共摻入硅中引入的缺陷態(tài).pdf

1、利用分子束外延系統(tǒng)（MBE）生長(zhǎng)高濃度的摻鉺硅樣品,用電學(xué)方法對(duì)樣品的缺陷態(tài)進(jìn)行研究,結(jié)果表明鉺氧共同摻入硅中引入施主缺陷.如果在p型硅中進(jìn)行層狀高濃度的鉺氧摻雜以形成薄層反型層,樣品表現(xiàn)出反常的電學(xué)特性：肖特基結(jié)構(gòu)二極管電流電壓特性的改變,電容隨電壓非單調(diào)性的變化,以及深能級(jí)瞬態(tài)譜（DLTS）測(cè)試中少子信號(hào)的出現(xiàn),俘獲系數(shù)的變化等.這些都是由樣品中鉺引入缺陷造成的.模擬計(jì)算了肖特基結(jié)構(gòu)中存在高濃度薄層反型層情況下的能帶圖,電場(chǎng)分布圖以

2、及C-V曲線.計(jì)算結(jié)果表明反型層摻雜濃度很高的情況下費(fèi)米能級(jí)釘扎在缺陷深能級(jí)上,深能級(jí)上電子占有率很高.隨著偏壓變化,深能級(jí)上電子占有率變化導(dǎo)致電子發(fā)射俘獲,深能級(jí)位置可以通過(guò)DLTS譜進(jìn)行測(cè)試,DLTS信號(hào)極性與常規(guī)DLTS信號(hào)相反,并且可以通過(guò)一次掃描同時(shí)得到俘獲和發(fā)射過(guò)程信號(hào).通過(guò)實(shí)驗(yàn)結(jié)果和模擬計(jì)算證明,在特定的條件下用DLTS方法是能夠測(cè)試肖特基結(jié)構(gòu)中的少子能級(jí)的.由DLTS譜和導(dǎo)納譜結(jié)果求得鉺氧在p型硅中引入施主深能級(jí)位于導(dǎo)帶