砷化鎵工藝中深亞微米柵工藝技術(shù)研究.pdf

1、西安電子科技大學(xué)學(xué)位論文獨(dú)創(chuàng)性(或創(chuàng)新性)聲明秉承學(xué)校嚴(yán)謹(jǐn)?shù)膶W(xué)風(fēng)和優(yōu)良的科學(xué)道德，本人聲明所呈交的論文是我個(gè)人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。盡我所知，除了文中特別加以標(biāo)注和致謝中所羅列的內(nèi)容以外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫(xiě)過(guò)的研究成果；也不包含為獲得西安電子科技大學(xué)或其它教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書(shū)而使用過(guò)的材料。與我一同工作的同志對(duì)本研究所做的任何貢獻(xiàn)均已在論文中做了明確的說(shuō)明并表示了謝意。申請(qǐng)學(xué)位論文與資料若有不實(shí)之處，

2、本人承擔(dān)一切的法律責(zé)任。樅徽：砷西安電子科技大學(xué)關(guān)于論文使用授權(quán)的說(shuō)明本人完全了解西安電子科技大學(xué)有關(guān)保留和使用學(xué)位論文的規(guī)定，即：研究生在校攻讀學(xué)位期間論文工作的知識(shí)產(chǎn)權(quán)單位屬西安電子科技大學(xué)。學(xué)校有權(quán)保留送交論文的復(fù)印件，允許查閱和借閱論文；學(xué)?？梢怨颊撐牡娜炕虿糠謨?nèi)容，可以允許采用影印、縮印或其它復(fù)制手段保存論文。同時(shí)本人保證，畢業(yè)后結(jié)合學(xué)位論文研究課題再撰寫(xiě)的文章一律署名單位為西安電子科技大學(xué)。本人簽名：導(dǎo)師簽名：r名餳妒1

3、、7f’’刪’日期：絲!!：!!：!蘭——_一一砷化鎵器件被稱(chēng)作第二代半導(dǎo)體，目前得到廣泛的應(yīng)用，在高頻、高功率器件中為主流器件，廣泛應(yīng)用于無(wú)線通信、雷達(dá)、電子對(duì)抗等等領(lǐng)域，隨著器件制作水平的不斷提高，目前已經(jīng)延伸到毫米波頻段，因此對(duì)于精細(xì)的深亞微米柵制作提出了非常高的要求，作者針對(duì)制作砷化鎵器件所采用的關(guān)鍵技術(shù)，T型柵制作技術(shù)進(jìn)行了較深入的研究，尤其是在深紫外投影光刻進(jìn)行深亞微米“T“型柵制作方面，開(kāi)發(fā)出O2微米以下的“T一型柵；本文