CXCR4抑制劑AMD3100對三陰性乳腺癌放射增敏作用的研究.pdf

1、研究背景和目的:
　　三陰性乳腺癌（triple-negative breast cancer，TNBC）是乳腺癌分子亞型中的一個特殊分型，具有發(fā)病年齡輕、惡性程度高、進展快、侵襲性強、易轉(zhuǎn)移及預后差等特點。目前TNBC缺乏內(nèi)分泌治療及靶向治療的相關(guān)靶點，在臨床實踐中，除手術(shù)切除外，主要以蒽環(huán)類為基礎的化療以及聯(lián)合放射治療為主。放射治療是乳腺癌綜合治療主要手段之一，能夠提高局部控制率，減少因局部未控而導致的遠處轉(zhuǎn)移，但由于TNBC

2、存在固有的和(或)獲得性的放療阻抗，從而導致放射治療失敗。我們課題組以及其他學者研究發(fā)現(xiàn)，趨化因子受體4（CXCR4）在TNBC中表達率明顯高于non-TNBC患者，且CXCR4高表達者局部復發(fā)率和死亡率均高于低表達者。同時，還有研究表明，聯(lián)合應用CXCR4抑制劑AMD3100可提高腦惡性膠質(zhì)瘤、前列腺癌等的放療敏感性。但是，CXCR4抑制劑AMD3100是否影響TNBC的放療敏感性，目前尚未查閱到相關(guān)報道。本研究的目的旨在研究應用CX

3、CR4抑制劑AMD3100對TNBC放療療效的影響，并探討其相關(guān)機制。
　　材料和方法:
　　1.選用高表達CXCR4的TNBC細胞株MDA-MB-231作為研究對象。
　　2.體外研究部分：使用CXCR4抑制劑AMD3100對TNBC放療的影響，采用不同濃度的CXCR4抑制劑AMD3100處理TNBC細胞，研究TNBC細胞CXCR4受體抑制后，細胞對放療敏感性的變化，分別檢測半數(shù)抑制濃度（IC50）、克隆形成率、凋亡

4、率和細胞周期的變化情況。采用Western blotting技術(shù)檢測使用CXCR4抑制劑AMD3100后，放療對TNBC細胞凋亡相關(guān)蛋白的變化。
　　3.體內(nèi)實驗部分：使用TNBC細胞株MDA-MB-231構(gòu)建裸鼠皮下移植瘤模型，探討CXCR4抑制劑AMD3100聯(lián)合放療對移植瘤生長的影響。免疫組織化學技術(shù)檢測細胞增殖和凋亡相關(guān)蛋白的變化。采用TUNEL染色檢測細胞的凋亡指數(shù)（AI）。
　　結(jié)果:
　　1. CXCR4

5、抑制劑AMD3100增強TNBC細胞對放療的敏感性。應用CXCR4抑制劑 AMD3100，放射治療處理 MDA-MB-231細胞，72h后 IC50明顯降低（0Gy854.47±15.03μg/ml vs.2Gy92.28±4.07μg/ml vs.4Gy1.18±0.15μg/ml p<0.01）。同時抑制CXCR4聯(lián)合放療后，細胞克隆形成率明顯下降，（p<0.05）。對照組：AMD3100組：放療組：AMD3100組聯(lián)合放療組的克隆

6、形成率分別為:54.33±2.08％vs.42.61±3.05%vs.19.66±2.51%vs.10.66±1.15%。
　　2. CXCR4抑制劑AMD3100增強放療誘導的細胞凋亡以及G2/M期細胞阻滯。CXCR4抑制劑 AMD3100、放療、CXCR4抑制劑 AMD3100聯(lián)合放療處理組MDA-MB-231細胞 G2/M期的比例較對照組分別增加47.89%、79.08%及137.25%（ p<0.01），并且凋亡率增高，分

7、別為4.33±0.66%、15.0±0.99%、26.86±1.35% vs.1.45±0.08%（p<0.01）。
　　3. CXCR4抑制劑AMD3100聯(lián)合放療調(diào)節(jié)凋亡相關(guān)蛋白的表達促進TNBC細胞的凋亡。Western blotting和免疫組化結(jié)果均顯示，CXCR4抑制劑AMD3100聯(lián)合放療后，TNBC細胞野生型p53、Bax和caspase-3表達上調(diào)，而CXCR4、Bcl-2表達水平下降。
　　4.動物體內(nèi)實

8、驗證明，CXCR4抑制劑AMD3100可以使腫瘤生長緩慢、體積變小，增強放療的抗癌作用，促進腫瘤細胞的凋亡。AMD3100組、放療組、AMD3100聯(lián)合放療組的腫瘤體積較對照組分別縮小了52.30%、79.64%、87.28%（p<0.01）。對照組、AMD3100組、放療組及AMD3100聯(lián)合放療組的凋亡率分別為：1.833±0.76%、7.83±2.56%、11.84±2.02%、21.34±4.16%（p<0.01）。