2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，嵌入式 SoC技術(shù)廣泛應(yīng)用在便攜式電子設(shè)備中，成為集成電路發(fā)展的重要支柱。靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）是 SoC和處理器中的重要組成部分，其速度，功耗和面積等性能制約著 SoC和處理器的發(fā)展。隨著工藝制程和電路結(jié)構(gòu)的改善，SRAM的性能取得了極大的提升，但是大容量高性能SRAM的設(shè)計(jì)仍是當(dāng)今研究的重點(diǎn)。
　　針對(duì)72M異步SRAM的設(shè)計(jì)需求，本文基于65nm工藝設(shè)計(jì)了一款8KX16 SRAM。前仿真在最壞PV

2、T條件下的讀出速度為2.28ns，在tt條件下其工作速度達(dá)到1.47ns，滿足了設(shè)計(jì)需求，并用全定制設(shè)計(jì)方法設(shè)計(jì)了8KX16 SRAM的版圖。
　　本文主要圍繞外圍電路中的譯碼電路、靈敏放大器電路和全定制版圖展開(kāi)。為了滿足高速高穩(wěn)定性譯碼器要求，本文首先確定了兩級(jí)靜態(tài)譯碼器結(jié)構(gòu)。用邏輯努力理論確定了譯碼器延遲鏈的MOS管尺寸，使譯碼速度達(dá)到最優(yōu)，經(jīng)Hspice仿真在tt條件下譯碼器的延時(shí)為0.339ns。本文以電流鏡型靈敏放大器為

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