基于二聚體理論與擴(kuò)散理論的Si1-xGex材料生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)模型.pdf

1、隨著Si1-xGex材料在高頻領(lǐng)域上的廣泛應(yīng)用以及SiGe IC芯片在集成電路領(lǐng)域的重要性不斷提升,對(duì)于Si1-xGex材料的研究引起了許多研究機(jī)構(gòu)的興趣。而生長(zhǎng)質(zhì)量良好的Si1-xGex薄膜需要對(duì)其復(fù)雜的生長(zhǎng)過程及其生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)進(jìn)行研究。
　　基于Ge組分影響Si1-xGex生長(zhǎng)速率的實(shí)驗(yàn)結(jié)果,本文提出了分立流密度的機(jī)理和模型;基于 Si基半導(dǎo)體表面的二聚體理論,本文首次提出了 CVD(化學(xué)氣相淀積)外延生長(zhǎng)Si1-xGex材料的

2、分速度機(jī)制和模型。與以前Si1-xGex材料只考慮表面反應(yīng)的影響機(jī)制的生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)模型,并且認(rèn)為Si、Ge材料是獨(dú)立生長(zhǎng)的觀點(diǎn)不同,本文還考慮了氣相輸運(yùn)的控制機(jī)制和 Si、Ge材料相互獨(dú)立相互影響的生長(zhǎng)過程,給出了Si1-xGex材料的分速度生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)模型。將模型計(jì)算值與實(shí)驗(yàn)值進(jìn)行了對(duì)比,發(fā)現(xiàn)在不同的溫度下,兩者符合得非常好。該模型考慮了多方面的生長(zhǎng)影響因子,符合實(shí)際的生長(zhǎng)過程,物理意義鮮明,結(jié)構(gòu)清晰,適用于不同氣源體系和不同溫度下的Si