硅-HF界面電化學(xué)特性研究.pdf_第1頁(yè)
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1、本論文對(duì)于在硅/HF的電化學(xué)系統(tǒng)中的微觀反應(yīng)進(jìn)行了初步的理論分析和實(shí)驗(yàn)研究。目前，利用硅/HF的電化學(xué)系統(tǒng)刻蝕硅通道因?yàn)槠涮厥獾慕Y(jié)構(gòu)而能夠應(yīng)用到很多領(lǐng)域，比如微泵，微通道板，光子晶體等。電化學(xué)刻蝕技術(shù)是由多孔硅技術(shù)發(fā)展而來(lái)的，具有高長(zhǎng)徑比，成本低等優(yōu)點(diǎn)。本論文中，首先對(duì)微通道的應(yīng)用以及相關(guān)原理進(jìn)行了闡述，在經(jīng)過(guò)廣泛調(diào)研的基礎(chǔ)上自行設(shè)計(jì)了硅/HF的電化學(xué)刻蝕系統(tǒng)，并通過(guò)上述系統(tǒng)對(duì)n型硅進(jìn)行了刻蝕實(shí)驗(yàn)。同時(shí)對(duì)在實(shí)驗(yàn)中觀察到的通道的形成規(guī)律，

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