電離輻射促HA納米載體介導(dǎo)的hGM-CSF基因在人肝癌HepG2細(xì)胞中的轉(zhuǎn)移及表達(dá).pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩48頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、目的:觀察電離輻射對羥基磷灰石納米顆粒介導(dǎo)的質(zhì)粒pORF-hGM-CSF基因轉(zhuǎn)染的影響并探索出能提高羥基磷灰石轉(zhuǎn)染效率的方法。
　　方法:轉(zhuǎn)染細(xì)胞前,依據(jù)不同輻射劑量下的HepG2細(xì)胞劑量-存活曲線選出2,4,6 Gy不同劑量分組照射。72小時后RT-PCR檢測HepG2細(xì)胞內(nèi)hGM-CSF的mRNA表達(dá)水平以比較轉(zhuǎn)染效率。
　　結(jié)果:電離輻射可以促進(jìn)HA納米載體介導(dǎo)的基因在HepG2細(xì)胞中的轉(zhuǎn)移和表達(dá),在輻射劑量為6,4G

2、y時, hGM-CSF基因mRNA相對表達(dá)量可達(dá)0.9941±0.0703,0.9501±0.5619,與劑量為0Gy的表達(dá)量差異有統(tǒng)計學(xué)意義(P﹤0.05),但與Lipofectamin2000組比較差異無統(tǒng)計學(xué)意義(P﹥0.05),輻射劑量為6,4,2,0Gy時,培養(yǎng)基中hGM-CSF的分泌量分別為499.20±5.76、497.06±4.54、472.53±3.91,428.65±7.16ng/106cell。故當(dāng)輻射劑量為6,4

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評論

0/150

提交評論