多種納米級電流模邏輯的特性分析.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、高速低功耗電路目前已經(jīng)成為VLSI技術(shù)的發(fā)展趨勢。因為具有恒定的靜態(tài)功耗，MCML(MOS Current Mode Logic，MOS電流模邏輯)引起了人們的關(guān)注。但是由于MCML電路的特性受多個參數(shù)的影響，并且這些參數(shù)之間有較高的耦合度，所以這導致了其設(shè)計復雜度很高，從而限制了它的廣泛應用。
　　 本文利用電路的小信號分析與仿真模擬的方法，重點剖析了影響MCML性能的四個重要因素。通過分析這四個因素影響MCML性能的原因、程

2、度和調(diào)整方法，論文梳理了它們之間的主次關(guān)系，并以此為基礎(chǔ)歸納了MCML電路的設(shè)計方法，找出了一個合理有效的設(shè)計流程。論文采用納米級CMOS工藝的伯克利預測模型(BPTM)，通過Hspice電路模擬軟件對納米級工藝下四扇出MCML反相器和標準CMOS反相器的性能進行了仿真，重點比較了MCML電路與標準CMOS邏輯電路受工藝尺寸縮小和電源電壓下降的影響。仿真結(jié)果表明在納米級工藝下，隨著電源電壓和工藝尺寸的減小，MCML電路性能的提升要快于標

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