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1、目的:比較不同品牌的CAD/CAM氧化鋯個(gè)性化基臺(tái)與鈦基和全瓷冠之間的適合性。
方法:用CAD/CAM分別設(shè)計(jì)和加工3組(日進(jìn)、愛爾創(chuàng)和卡瓦)各5個(gè)氧化鋯個(gè)性化基臺(tái)。通過掃描電子顯微鏡(scanning electron microscope,SEM),測(cè)量氧化鋯個(gè)性化基臺(tái)與鈦基之間的邊緣間隙(marginal gap,MG),比較三種氧化鋯個(gè)性化基臺(tái)與鈦基之間的邊緣適合性。在氧化鋯個(gè)性化基臺(tái)上,用CAD/CAM分別設(shè)計(jì)和加工
2、3組(IPS e.max、Enamic和Suprinity)各5個(gè)全瓷冠。通過微型計(jì)算機(jī)斷層掃描(micro computed tomography,Micro-CT),測(cè)量全瓷冠與氧化鋯個(gè)性化基臺(tái)的絕對(duì)邊緣差異(absolute marginal discrepancy,AMD)、軸面間隙(axial gap,AG)、咬合間隙(occlusal gap,OG),比較三種全瓷冠的邊緣適合性及內(nèi)部適合性。
結(jié)果:卡瓦組(7.19
3、±2.98μm)與日進(jìn)組(10.25±6.25μm)和愛爾創(chuàng)組(9.87±5.48μm)的MG之間的差異具有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P<0.05);愛爾創(chuàng)組與日進(jìn)組的MG之間的差異則無統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P>0.05)。Enamic組(104.48±25.13μm)分別與e.max組(73.03±21.81μm)和Suprinity組(67.25±29.16μm)的AMD之間的差異都具有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P<0.05);而e.max組與Suprinity組之間的
4、差異則無統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P>0.05)。Suprinity組(93.13±30.65μm)分別與e.max組(122.49±32.03μm)和Enamic組(129.55±29.91μm)的AG之間的差異具有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P<0.05);e.max組與Enamic組的差異不具有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P>0.05)。Suprinity組(295.19±63.86μm)、e.max組(413.28±45.86μm)和Enamic組(430.60±62.26
5、μm)三組OG之間的差異都具有統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(P<0.05)。
結(jié)論:在有限的樣本范圍內(nèi),本實(shí)驗(yàn)得出以下結(jié)論:不同的材料直接影響個(gè)性化基臺(tái)與鈦基和全瓷冠的適合性。(1)在個(gè)性化基臺(tái)與鈦基的邊緣適合性方面,卡瓦氧化鋯明顯優(yōu)于日進(jìn)及愛爾創(chuàng)氧化鋯。(2)就絕對(duì)邊緣差異而言,Suprinity加強(qiáng)型玻璃陶瓷和IPS e.max二矽酸鋰玻璃陶瓷優(yōu)于Enamic彈性瓷,而前兩者接近。就軸面間隙而言,Suprinity加強(qiáng)型玻璃陶瓷優(yōu)于IPS
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