數(shù)字集成電路失效分析方法與技術(shù)的研究.pdf_第1頁(yè)
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1、半導(dǎo)體的可靠性物理也稱為失效物理,失效分析技術(shù)在提高集成電路的可靠性方面具有重要作用.隨著現(xiàn)代集成電路集成度的不斷提高,失效分析的難度越來越大,必須要有更加先進(jìn)準(zhǔn)確的設(shè)備和技術(shù),配合合理的失效分析步驟,才能提高分析的成功率.本文借助EDX、SEM、SAM、Light-emi ssion等分析手段,觀察總結(jié)了集成電路的常見失效機(jī)理和失效模式,并以實(shí)際案例輔助說明,目的是找出最佳的失效分析方案.SAM是集成電路封裝失效分析不可缺少的技術(shù),它

2、能夠快速無損的發(fā)現(xiàn)封裝內(nèi)部的分層、空洞以及貼片的失效.只有充分掌握了芯片封裝的失效信息,才能準(zhǔn)確的制定隨后的失效分析步驟. 根據(jù)wafer的工藝不同,集成電路刻蝕剝層的方法和步驟也不同.本文討論并且總結(jié)了對(duì)08單片機(jī)進(jìn)行化學(xué)刻蝕的試劑的制備方法,并且給出了刻蝕時(shí)間和流程.保證每層都能夠徹底的剝除并且對(duì)下層的影響很小.Mini-tester對(duì)單片機(jī)各個(gè)模塊的各種模式下的全面測(cè)試,是失效分析中的重要環(huán)節(jié).只有這樣才能在對(duì)樣品進(jìn)行物

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