電針調(diào)節(jié)VEGF表達對慢性腦缺血大鼠大腦血管新生及認知行為學(xué)的影響.pdf

1、目的：觀察電針百會、大椎穴對慢性腦缺血大鼠大腦缺血皮層不同時相上血管內(nèi)皮生長因子（vascular endothelial growth factor，VEGF）表達和血管新生的變化情況及其認知行為的表現(xiàn)，分析相關(guān)指標間的關(guān)系。探討電針治療血管源性認知功能障礙的VEGF調(diào)節(jié)機制，為“非藥物”手段和綜合性手段治療腦缺血及相關(guān)疾病提供理論依據(jù)。
　　方法：對健康的 SD雄性大鼠采用改良2-VO法造成慢性腦缺血大鼠模型，隨機分為1W、2

2、W、4W、6W模型及電針組；采用針刺督脈腧穴百會、大椎，使用韓氏電針治療儀予15Hz連續(xù)波、1mA輸出電流，治療20min；利用Morris水迷宮觀察空間行為學(xué)的變化情況；采用 HE染色及 VEGF、CD34免疫組織化學(xué)法觀察大腦缺血皮層 VEGF表達和血管新生的變化規(guī)律及它們之間的關(guān)系，以及經(jīng)電針治療后上述指標的變化情況。
　　結(jié)果：(1)行為學(xué)檢測：電針組大鼠在不同時間段逃避潛伏期值均明顯高于模型組大鼠( P<0.05或P<0

3、.01)。電針組大鼠之間平臺象限游泳時間沒有明顯差異，但與模型組相比有差異( P<0.05或P<0.01)；(2)電針對腦缺血后VEGF表達的影響：隨著缺血時間的延長，模型組和電針組VEGF陽性細胞數(shù)逐漸減少，但是同時相上，電針組VEGF表達明顯強于模型組，其中一周、兩周時差異具有統(tǒng)計學(xué)意義( P<0.05或P<0.01)；(3)血管新生情況：電針能夠進一步刺激腦缺血后內(nèi)源性血管新生，其變化規(guī)律與VEGF表達相符；同時通過相關(guān)性分析電針

4、可以進一步刺激VEGF誘導(dǎo)血管新生（r模=0.360， P<0.01；r電=0.491，P<0.01）(4)海馬組織形態(tài)學(xué)變化：通過對海馬組織進行HE染色后觀察細胞形態(tài)發(fā)現(xiàn)，電針組大鼠海馬齒狀回區(qū)較模型組結(jié)構(gòu)緊密，排列整齊，層次豐富，且電針組海馬神經(jīng)細胞形態(tài)較模型組好。
　　結(jié)論：(1)電針能夠改善慢性腦缺血大鼠認知行為能力；(2)電針能改善慢性腦缺血大鼠海馬組織形態(tài)學(xué)損傷；(3)電針能夠促進慢性腦缺血大鼠皮層中VEGF的表達，同