電場(chǎng)對(duì)熱損傷表皮干細(xì)胞遷移行為的影響.pdf

1、研究目的：本課題旨在研究電場(chǎng)對(duì)SD(Sprague-Dauley）大鼠熱損傷表皮干細(xì)胞遷移行為的影響，進(jìn)一步認(rèn)識(shí)燒傷創(chuàng)面愈合的機(jī)制，為臨床上探索促進(jìn)創(chuàng)面愈合的方法提供新思路。
　　內(nèi)容與方法：
　　1.采用胰酶兩步消化法+Ⅳ型膠原差速貼壁法分離并純化SD大鼠表皮干細(xì)胞，無(wú)血清K-sfm培養(yǎng)基進(jìn)行培養(yǎng)，免疫熒光共染角蛋白19及β1整合素對(duì)表皮干細(xì)胞進(jìn)行表型鑒定。
　　2.模擬內(nèi)源性生物電場(chǎng)，建立外源性直流電場(chǎng)加電裝置，觀

2、察電場(chǎng)對(duì)正常表皮干細(xì)胞遷移行為的影響，選擇下一步實(shí)驗(yàn)需要的加電強(qiáng)度及加電時(shí)間。
　　3.利用P2-P3代細(xì)胞建立熱損傷模型，對(duì)比觀察電場(chǎng)對(duì)熱損傷表皮干細(xì)胞遷移行為的影響。
　　結(jié)果：
　　1.通過(guò)胰酶兩步消化法分離+Ⅳ型膠原差速貼壁法純化，無(wú)血清K-sfm培養(yǎng)基培養(yǎng)的細(xì)胞，呈多角形，體積小而核質(zhì)比大，胞壁折光性強(qiáng)，立體感強(qiáng)，呈集落樣生長(zhǎng)，鏡下可見(jiàn)典型的鋪路石樣結(jié)構(gòu)；同時(shí)細(xì)胞免疫熒光技術(shù)檢測(cè)所培養(yǎng)的細(xì)胞能高表達(dá)表皮干細(xì)胞

3、標(biāo)志物β1-integrin和K19。
　　2.通過(guò)建立的內(nèi)源性生物電場(chǎng)模擬平臺(tái)，進(jìn)行細(xì)胞遷移實(shí)驗(yàn)，發(fā)現(xiàn)正常表皮干細(xì)胞定向往電場(chǎng)陰極遷移，其遷移的方向及速率在一定范圍內(nèi)呈場(chǎng)強(qiáng)和時(shí)間依賴性。正常表皮干細(xì)胞趨電性遷移的場(chǎng)強(qiáng)閾值約為50mV/mm。
　　3.電場(chǎng)可促進(jìn)53℃30s熱損傷的表皮干細(xì)胞往陰極遷移，其遷移的方向及速率在一定范圍內(nèi)呈場(chǎng)強(qiáng)和時(shí)間依賴性，且遷移速率比正常表皮干細(xì)胞更快；其對(duì)電刺激的敏感性增強(qiáng)，趨電性遷移的場(chǎng)強(qiáng)閾