12688.聯(lián)苯及其取代物研究中關(guān)于qtaim和應(yīng)力張量理論的觀點(diǎn)

1、分類號(hào)學(xué)校代碼10542學(xué)號(hào)201302121001聯(lián)苯及其取代物研究中關(guān)于QTAIM和應(yīng)力張量理論的觀點(diǎn)Substitutedbiphenyls：AStressTensorandvectorbasedperspectivewithintheQuantumTheoryofAtomsinMolecules(QTAIM)Framework指導(dǎo)教師姓名、職稱—SamanthaJ—enkins教授湖南師范大學(xué)學(xué)位評(píng)定委員會(huì)辦公室二零一六年四月了

2、真正的三維時(shí)代。QTArM理論方法的核心是電荷密度分布p(r)，電子密度的梯度矢量場(chǎng)Vp(r)和電子密度的二階導(dǎo)數(shù)Laplacian值V2p(rb)決定了一個(gè)分子的電子密度分布的拓?fù)湫再|(zhì)。若空間中某一點(diǎn)的電荷密度分布的一階導(dǎo)數(shù)Vp(rb)=0，則該點(diǎn)稱為臨界點(diǎn)，在該點(diǎn)處建立Hessian(3木3)矩陣，可得到三個(gè)本征值(九l，如，沁)，Laplacian值V2p(rb)被定義為V20(rb)=九l池b。若V2p(rc)O，表示該區(qū)域La

3、placian值為正值，動(dòng)能占優(yōu)勢(shì)，負(fù)電荷在該處分散，值越大，化學(xué)鍵的離子性越強(qiáng)；若V2p(rb)接近于0時(shí)，一般形成的是較弱的化學(xué)鍵。臨界點(diǎn)可以標(biāo)記為佃，o)，其中，∞代表矩陣的秩，等于臨界點(diǎn)處電荷密度的非零特征值的數(shù)目，在臨界點(diǎn)處國只能等于3符號(hào)。代表的是臨界點(diǎn)處三個(gè)特征值符號(hào)的代數(shù)和。(3，3)稱為核臨界點(diǎn)(ⅣCP)，三個(gè)特征值均為負(fù)值，電荷密度p(r)為局部最大值；(3，一1)稱為鍵臨界點(diǎn)(BCP)，三個(gè)特征值其中一正兩負(fù)，水平

4、面上的電子密廊(r)為最大值，垂直于這個(gè)平面的方向上的電子密度p(r)為最小值，鍵臨界點(diǎn)表明兩原子之間的成鍵作用，那么一定存在一條從鍵鞍點(diǎn)出發(fā)連接兩原子的鍵徑；(3，1)稱為環(huán)臨界點(diǎn)，三個(gè)特征值一負(fù)兩正，水平面上的電子密度p(r)為最小值，垂直于這個(gè)平面的方向上的電子密度p(r)為最大值。(3，3)稱為籠臨界點(diǎn)，三個(gè)特征值均為正值，電荷密度p(r)為局部最小值。對(duì)于一個(gè)獨(dú)立穩(wěn)定的分子，各臨界點(diǎn)的個(gè)數(shù)滿足Poincar6Hopf關(guān)系式：肛