2010高考復(fù)習(xí)專題

1、《物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì)》命題規(guī)律及復(fù)習(xí)策略探討 ---- 省宜興一中 史蓉,從2008年開始，江蘇高考卷中出現(xiàn)了《物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》模塊的考察，這一模塊命題的最大特點(diǎn)就是規(guī)律性強(qiáng)，十分有利于考生的正常發(fā)揮，所以，相對(duì)于另一個(gè)實(shí)驗(yàn)選考題，結(jié)構(gòu)題受到了更多教師與考生的青睞。因此，在復(fù)習(xí)過程中應(yīng)切實(shí)把握考試說明要求，做到“內(nèi)容不拓寬、突出重點(diǎn)、化解難點(diǎn)”，盡可能確保大部分考生在這一模塊的考察中

2、拿到高分，甚至是滿分。,一、命題規(guī)律探析 1、熟悉考試說明要求 2、研究近5年江蘇高考卷結(jié)構(gòu)部分的 考察情況二、復(fù)習(xí)策略1、回歸基礎(chǔ)，熟記知識(shí)點(diǎn)2、構(gòu)建以三條主線為框架的物質(zhì)結(jié)構(gòu)體系 3、強(qiáng)調(diào)易錯(cuò)點(diǎn)4、減少非智力因素的失分,《物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》復(fù)習(xí)策略,一、原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)①認(rèn)識(shí)原子核外電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)；了解電子云、電子層（能層）、原子軌道（能級(jí)）的含義。②了解多電子原子核外電子分層排布遵

3、循的原理，能用電子排布式表示1—36號(hào)元素的原子及簡單離子的核外電子排布。③了解主族元素第一電離能、電負(fù)性等性質(zhì)的周期性變化規(guī)律，能根據(jù)元素電負(fù)性說明元素的金屬性和非金屬性的周期性變化規(guī)律。二、化學(xué)鍵與物質(zhì)的性質(zhì)①理解離子鍵、共價(jià)鍵的含義，能說明離子鍵、共價(jià)鍵的形成。②了解NaCl型和CsCl型離子晶體的結(jié)構(gòu)特征，能用晶格能解釋典型離子化合物的某些物理性質(zhì)。③了解共價(jià)鍵的主要類型σ鍵和π鍵，能用鍵能、鍵長、鍵角等數(shù)據(jù)說明簡單分子的某

4、些性質(zhì)（對(duì)σ鍵和π鍵之間相對(duì)強(qiáng)弱的比較不作要求）。④了解鍵的極性和分子的極性，了解極性分子和非極性分子的性質(zhì)差異。,《物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》考試說明要求：,⑤能根據(jù)雜化軌道理論和價(jià)層電子對(duì)互斥模型判斷簡單分子或離子的空間構(gòu)型（對(duì)d軌道參與雜化和AB型以上復(fù)雜分子或離子的空間構(gòu)型不作要求）。⑥了解“等電子原理”的含義，能結(jié)合實(shí)例說明“等電子原理”的應(yīng)用。⑦了解原子晶體的特征，能描述金剛石，二氧化硅等原子晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系。⑧能用金屬鍵的自由

5、電子理論解釋金屬的某些物理性質(zhì)。⑨知道金屬晶體的基本堆積方式，了解常見金屬晶體的晶胞結(jié)構(gòu)特征（晶體內(nèi)部空隙的識(shí)別、與晶胞的邊長等晶體結(jié)構(gòu)參數(shù)相關(guān)的計(jì)算不作要求）。⑩了解簡單配合物的成鍵情況（配合物的空間構(gòu)型和中心原子的雜化類型不作要求）。三、分子間作用力與物質(zhì)的性質(zhì)①知道分子間作用力的含義，了解化學(xué)鍵和分子間作用力的區(qū)別。②知道分子晶體的含義，了解分子間作用力的大小對(duì)物質(zhì)某些物理性質(zhì)的影響。③了解氫鍵的存在對(duì)物質(zhì)性質(zhì)的影響（對(duì)氫鍵相

6、對(duì)強(qiáng)弱的比較不作要求）。④了解分子晶體與原子晶體、離子晶體、金屬晶體的結(jié)構(gòu)微粒，微粒間作用力的區(qū)別。,,2008年-2012年江蘇高考結(jié)構(gòu)考題分析,,系統(tǒng)化的、重點(diǎn)突出的一輪復(fù)習(xí),1、回歸基礎(chǔ)、熟記知識(shí)點(diǎn),（1）以具體物質(zhì)為載體訓(xùn)練電子式、結(jié)構(gòu)式、 分子空間構(gòu)型、雜化方式、 電子排布式、、熔沸點(diǎn)（尤其涉及氫鍵的物質(zhì)）。,（2）用結(jié)構(gòu)的知識(shí)來解釋某物質(zhì)的性質(zhì)、 從而強(qiáng)化對(duì)該物質(zhì)結(jié)構(gòu)的記憶。 例如：熔沸點(diǎn)的高低

7、；氧化性的強(qiáng)弱,,（3）熟記知識(shí)點(diǎn)“1-36號(hào)元素在周期表中的位置”、“物質(zhì)結(jié)構(gòu)-位置-性質(zhì)之間的關(guān)系”、“1-36號(hào)元素的核外電子排布”、“元素第一電離能及電負(fù)性的變化規(guī)律”“常見的等電子體”、“化學(xué)鍵的類型”、“鍵的極性及分子的極性”、“雜化軌道及分子的空間構(gòu)型”、“氫鍵及其影響”、“晶體的類型及作用力”、“晶胞結(jié)構(gòu)”,2、構(gòu)建以三條主線為框架的物質(zhì)結(jié)構(gòu)體系,原子結(jié)構(gòu)：構(gòu)造原理（1-36號(hào)元素核外電子排布）—元

8、素性質(zhì)（原子半徑、主要化合價(jià)、第一電離能、電負(fù)性周期性變化規(guī)律） 分子結(jié)構(gòu)：共價(jià)鍵（ σ鍵和π鍵、極性鍵、非極性鍵、配位鍵）—鍵參數(shù)（鍵長、鍵角、鍵能）—分子的立體結(jié)構(gòu)（雜化軌道理論、價(jià)層電子對(duì)互斥理論)—分子的極性—分子間的作用力（氫鍵、范德華力）—解釋分子的熔沸點(diǎn)、溶解性 晶體結(jié)構(gòu)：構(gòu)成晶體微粒—典型物質(zhì)結(jié)構(gòu)—微粒間的作用—決定晶體性質(zhì)的因素,,3、化解難點(diǎn)、強(qiáng)調(diào)易錯(cuò)點(diǎn),1、電子的位置:核外電子、外圍電子、最外層電子，2、

9、第一電離能與電負(fù)性的概念混淆，尤其是ⅡA，ⅤA族3、化學(xué)鍵類型分辨不清4、雜化軌道構(gòu)型與分子空間構(gòu)型等混淆5、表達(dá)不規(guī)范6、培養(yǎng)良好的審題習(xí)慣,,常見錯(cuò)誤：,（1）培養(yǎng)學(xué)生自我反思的意識(shí)，鼓勵(lì)學(xué)生時(shí)常將做過的練習(xí)翻出來看看增強(qiáng)對(duì)出錯(cuò)知識(shí)點(diǎn)、出錯(cuò)原因的映像，從而盡可能減少重復(fù)錯(cuò)誤。（2）培養(yǎng)學(xué)生良好的心理素質(zhì)，提高應(yīng)試能力。在平時(shí)訓(xùn)練中要體現(xiàn)“平時(shí)是高考，高考是平時(shí)”的思想，這樣在高考中才能沉著應(yīng)考，不會(huì)緊張，把平時(shí)掌握的水平