基于UVM的Preamp芯片的驗(yàn)證與分析.pdf

1、在集成電路迅速發(fā)展的今天,RTL設(shè)計(jì)的復(fù)雜度不斷增加,驗(yàn)證的難度也明顯增大,傳統(tǒng)的驗(yàn)證方法以及流程已經(jīng)不能滿足集成電路驗(yàn)證要求,如何提高驗(yàn)證效率和質(zhì)量已經(jīng)成為重中之重。
　　本文的工作重心是針對(duì)Preamp芯片中Writer數(shù)字模塊搭建驗(yàn)證平臺(tái)并驗(yàn)證其功能,提出使用重用性更強(qiáng)的UVM驗(yàn)證策略。通過分析Writer的功能及其規(guī)格說明,得到包括:SPI時(shí)序,Writer Control,Writer Latch等模塊的待測(cè)功能點(diǎn)共24

2、點(diǎn)。隨后,應(yīng)用 UVM開發(fā)出施加激勵(lì)的 Sequence機(jī)制,從針對(duì)寄存器的op_sequence到描述Testcase的app_sequence共65條,并配合Sequence機(jī)制開發(fā)出方便功能覆蓋率收集的RGM模型。
　　對(duì)于模塊的驗(yàn)證,通過可回歸性測(cè)試應(yīng)用斷言定位RTL的錯(cuò)誤。為了確保對(duì)模塊做了完備的驗(yàn)證,驗(yàn)證流程采用了帶有斷言并集合功能覆蓋率的驗(yàn)證流程。項(xiàng)目中一共開發(fā)出測(cè)試激勵(lì)15條,斷言語句86條。最終的條件,語句,跳轉(zhuǎn)