脈沖激光沉積工藝對(duì)CIGS薄膜成分和微結(jié)構(gòu)的影響.pdf_第1頁(yè)
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1、本研究采用PLD濺射法在玻璃襯底上制備不同疊層順序、不同比例的In／Cu-Ga和Cu-Ga／In預(yù)制膜,后經(jīng)硒化、退火處理,得到CIGS薄膜.采用X射線(xiàn)衍射儀(XRD)表征了薄膜的晶體結(jié)構(gòu),采用掃描電子顯微鏡(SEM)和能量散射譜(EDS)觀察和分析了薄膜的表面形貌和元素成分,采用光電子能譜(XPS)分析了薄膜表面的化學(xué)價(jià)態(tài),采用紫外-可見(jiàn)分光光度計(jì)分析了薄膜的光吸收特性。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),采用 Cu-Ga／In的預(yù)制膜疊層順序制備出的CIGS

2、薄膜,其In元素?fù)p失嚴(yán)重.采用In／Cu-Ga的預(yù)制膜疊層順序制各的CIGS薄膜,隨著預(yù)制膜中In含量的增加,其CIGS薄膜表面的孔隙密度會(huì)增加,且由于采用單質(zhì)In靶,導(dǎo)致CIGS薄膜表面有大顆粒產(chǎn)生。采用In／Cu-Ga的疊層順序,且濺射脈沖數(shù)為Cu-Ga靶5萬(wàn)；In靶6萬(wàn)的濺射工藝下制備的Cu-In-Ga預(yù)制膜,后經(jīng)硒化、退火處理,可得到沿(112)晶向擇優(yōu)取向生長(zhǎng),且致密、均勻、結(jié)晶良好的CIGS薄膜,其組分配比也處于理想范圍之內(nèi)

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