簡介：本文針對(duì)復(fù)雜裝備能耗高而裝備本身功能復(fù)雜、結(jié)構(gòu)復(fù)雜、約束關(guān)系復(fù)雜、變量多且相互耦合，難以用傳統(tǒng)設(shè)計(jì)方法進(jìn)行低能耗化設(shè)計(jì)的問題，提出了基于歷史數(shù)據(jù)的復(fù)雜裝備火用損預(yù)測方法、構(gòu)建了復(fù)雜裝備關(guān)鍵工藝參數(shù)火用損響應(yīng)面模型、實(shí)現(xiàn)了基于強(qiáng)化學(xué)習(xí)理論的復(fù)雜裝備工藝參數(shù)低火用損設(shè)計(jì)，最后開發(fā)了復(fù)雜裝備工藝參數(shù)低火用損設(shè)計(jì)系統(tǒng)，為復(fù)雜裝備低火用損方案設(shè)計(jì)提供了理論基礎(chǔ)，為已運(yùn)行復(fù)雜裝備工藝參數(shù)低火用損設(shè)定提供了工具。全文組織結(jié)構(gòu)如下第一章從復(fù)雜裝備能耗高工程實(shí)際問題出發(fā)，綜述了國內(nèi)外火用損分析與綠色設(shè)計(jì)、復(fù)雜裝備工藝參數(shù)低火用損設(shè)計(jì)、基于機(jī)器學(xué)習(xí)的工藝參數(shù)設(shè)計(jì)的國內(nèi)外的研究現(xiàn)狀，結(jié)合作者所參與的空分項(xiàng)目展開本文的研究內(nèi)容，最后介紹了本文的總體框架。第二章針對(duì)復(fù)雜裝備方案設(shè)計(jì)階段沒有物理樣機(jī)情況下火用損難以精確預(yù)測的問題，利用工廠積累的歷史數(shù)據(jù)對(duì)PR狀態(tài)方程進(jìn)行了修正，為復(fù)雜裝備物性參數(shù)估算和火用損預(yù)測奠定了基礎(chǔ)，最后用修正后的PR狀態(tài)方程對(duì)空分裝備進(jìn)行了模擬，計(jì)算了八萬等級(jí)空分裝備的火用損。第三章通過空分裝備流程的分析和物料平衡與熱平衡的校核，提取了空分裝備的工藝參數(shù)，通過仿真模擬和實(shí)際空分裝備監(jiān)測建立了采樣點(diǎn)數(shù)據(jù)庫，最后應(yīng)用基于徑向基函數(shù)的火用損響應(yīng)面構(gòu)建方法建立了空分裝備火用損響應(yīng)面模型，為基于火用損響應(yīng)面模型的復(fù)雜裝備工藝參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)奠定了基礎(chǔ)。第四章在強(qiáng)化學(xué)習(xí)的基本框架基礎(chǔ)之上，提出了基于預(yù)學(xué)習(xí)和實(shí)時(shí)學(xué)習(xí)的雙重強(qiáng)化學(xué)習(xí)框架，研究了基于火用損響應(yīng)面模型的復(fù)雜裝備工藝參數(shù)強(qiáng)化學(xué)習(xí)的方法及實(shí)現(xiàn)，最后應(yīng)用在八萬等級(jí)空分裝備工藝參數(shù)低火用損設(shè)計(jì)中，驗(yàn)證了雙重強(qiáng)化學(xué)習(xí)框架下的復(fù)雜裝備工藝參數(shù)低火用損強(qiáng)化學(xué)習(xí)效果。第五章以ASPENPLUS二次開發(fā)為基礎(chǔ)，融合基于修正PR方程的方案設(shè)計(jì)階段火用損預(yù)測方法、復(fù)雜裝備關(guān)鍵工藝參數(shù)火用損響應(yīng)面模型構(gòu)建技術(shù)、基于強(qiáng)化學(xué)習(xí)的工藝參數(shù)低火用損設(shè)計(jì)技術(shù)，開發(fā)了復(fù)雜裝備工藝參數(shù)低火用損設(shè)計(jì)系統(tǒng)，并在工程實(shí)際中得到應(yīng)用。第六章對(duì)全文的研究內(nèi)容和開展的工作進(jìn)行了總結(jié)，并面向工程實(shí)際運(yùn)用進(jìn)行了工作展望，指出了下一步研究的方向。

簡介：還原染料是纖維素纖維織物染色和印花的一類重要染料，其色澤鮮艷，色譜齊全，有全面的染色堅(jiān)牢度，其中耐曬和耐洗堅(jiān)牢度尤為突出，主要用于高檔紡織品的染色。目前，在大部分的工業(yè)染色中，還原染料主要采用保險(xiǎn)粉還原，這一過程會(huì)產(chǎn)生大量的含硫廢水，如硫酸鹽和亞硫酸鹽，不僅造成環(huán)境污染，也增加了污水治理的成本。因此，還原染料清潔染色工藝已成為染整工作者的一個(gè)研究熱點(diǎn)，其中間接電化學(xué)還原方法因其環(huán)保經(jīng)濟(jì)、重現(xiàn)性好、可行性高等優(yōu)點(diǎn)較有潛力進(jìn)行產(chǎn)業(yè)應(yīng)用。但是，還原反應(yīng)需要與陰極表面接觸，陰極極板的面積有限，且被還原的染料隱色體僅在陰極極板附近富集，擴(kuò)散緩慢，致使其還原速率較慢，還原效率較低，染色效果達(dá)不到傳統(tǒng)還原方法的深度，目前其應(yīng)用仍然受到了一定的限制。本課題將可控交變電場引入還原染料間接電化學(xué)還原和染色過程中，在外加電場下，使帶電隱色體鈉鹽快速移動(dòng)，離開陰極附近，以FEⅢ草酸葡萄糖酸鈣絡(luò)合物體系為還原媒介進(jìn)行間接電化學(xué)還原。實(shí)驗(yàn)表明，自行設(shè)計(jì)的帶有可控電場的電解槽可以提高還原速率和還原效率，且在外加電場的條件下進(jìn)行染色，可以增加上染速率和上染百分率，并在一定程度上提高了染色牢度，改進(jìn)了常規(guī)間接電化學(xué)還原染色KS值較低、染色牢度較差的問題。本課題有以下幾方面研究內(nèi)容首先，設(shè)計(jì)一套間接電化學(xué)還原裝置，利用電磁鐵產(chǎn)生的感應(yīng)電場，使其還原過程在交變感應(yīng)電場氛圍內(nèi)進(jìn)行，研究內(nèi)容主要包括電解槽和電磁鐵的設(shè)計(jì)以及整個(gè)電路的連接。其次，研究了外加不同電場強(qiáng)度、不同交變頻率電場氛圍對(duì)間接電化學(xué)還原過程的影響，以FEⅢ草酸葡萄糖酸鈣絡(luò)合物為還原媒介對(duì)還原艷綠FFB進(jìn)行間接電化學(xué)還原，通過正交實(shí)驗(yàn)和單因素實(shí)驗(yàn)，分析了各影響因素對(duì)染色KS值和循環(huán)伏安曲線的影響，得出在不同場強(qiáng)電場氛圍內(nèi)最佳還原工藝是NAOH濃度25GL，C2H2O4濃度6GL，F(xiàn)E2SO43濃度75GL，CAC6H11O72濃度145GL，染料濃度03GL，還原電壓45V，陰極電極面積360CM2，感應(yīng)電場強(qiáng)度1650NC，感應(yīng)電場頻率50HZ，還原時(shí)間19MIN。在該工藝條件下，還原速率最快，染色織物得色量最深。同時(shí)利用此媒介體系，在上述最佳工藝條件下對(duì)其它種類、不同濃度的還原染料進(jìn)行間接電化學(xué)還原實(shí)驗(yàn)。然后，設(shè)計(jì)一套帶有電磁鐵的染槽，且其產(chǎn)生的感應(yīng)電場強(qiáng)度和頻率可調(diào)，并完成電路的連接。研究經(jīng)上述還原后的還原艷綠FFB隱色體鈉鹽在外加交變感應(yīng)電場下的上染過程，通過正交試驗(yàn)和單因素實(shí)驗(yàn)，以上染速率和染色KS值為評(píng)判指標(biāo)，分析了感應(yīng)電場強(qiáng)度、染色溫度、染色時(shí)間、染液PH等對(duì)染色的影響，得出最佳的染色工藝感應(yīng)電場強(qiáng)度1600NC，染液PH值115，染色溫度45℃，染色時(shí)間為9MIN。最后，與常規(guī)間接電化學(xué)還原染色工藝以及傳統(tǒng)保險(xiǎn)粉還原工藝進(jìn)行對(duì)比，其染色織物勻染性和干摩擦牢度相差不大，濕摩擦牢度和水洗牢度可提高05～1級(jí)。

簡介：點(diǎn)擊查看更多光學(xué)工程應(yīng)力分布玻璃的工藝研究.pdf精彩內(nèi)容。

簡介：本課題通過采用硅鐵、硅鋇、硅鈣及稀土進(jìn)行孕育的方法來改變化學(xué)成分對(duì)短流程灰鑄鐵力學(xué)性能的影響開始研究，以及改變冷卻速度對(duì)短流程灰鑄鐵金相組織的影響，經(jīng)多組實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的對(duì)比，得出各種孕育劑的最適加入量及最佳冷卻速度。力學(xué)性能方面，硅鐵孕育劑加入量在025％時(shí)，整體力學(xué)性能最好，孕育劑超過025％以后，高爐鐵水遺傳性又開始顯現(xiàn)硅鋇孕育劑加入量在05％時(shí)，抗拉強(qiáng)度最高，此時(shí)品質(zhì)系數(shù)最高，整體力學(xué)性能最好硅鈣孕育劑加入量在05％時(shí)抗拉強(qiáng)度達(dá)到最高，且在相同抗拉強(qiáng)度下，加入硅鈣孕育劑以后，較加入其他孕育劑硬度低2030HB稀土孕育劑加入量在013％時(shí)，抗拉強(qiáng)度就已經(jīng)達(dá)到200MPA以上，孕育劑加入量在048％時(shí)，作為灰鑄鐵，整體的力學(xué)性能最好。金相組織方面，隨著孕育劑量的增多，A型石墨不斷增多，石墨長度不斷縮短，分布更加均勻基體以珠光體為主，說明孕育劑可促進(jìn)一階段石墨化，減少白口傾向從而獲得較小過冷度的優(yōu)質(zhì)鐵水，能大大改善石墨的形態(tài)和分布狀況，增加異質(zhì)晶核數(shù)量，提高力學(xué)性能，細(xì)化基體組織。但超過一定量后，粗大石墨又開始顯現(xiàn)，這與高爐鐵水的遺傳性有關(guān)。白口實(shí)驗(yàn)方面，三角試塊薄壁處冷卻速度大，石墨較少，滲碳體較多，硬度較高隨著壁厚的增加，冷卻速度減小，石墨增多，滲碳體減少，硬度降低，而且石墨越來越均勻細(xì)化。此外，孕育劑的加入會(huì)使三角試塊斷口表面晶粒明顯細(xì)化。綜合實(shí)驗(yàn)得出硅鐵孕育劑加入量025％、硅鋇孕育劑加入量05％、硅鈣孕育劑加入量05％、稀土孕育劑加入量048％時(shí)，對(duì)于壁厚大于10MM的灰鑄鐵孕育效果最好。

簡介：科學(xué)技術(shù)大力發(fā)展的今天，工業(yè)生產(chǎn)過程朝著大型化、智能化、自動(dòng)化方向快速前進(jìn)。社會(huì)經(jīng)濟(jì)水平快速提升的同時(shí)，固液分離技術(shù)在生產(chǎn)過程中的應(yīng)用也日益增多，如何在控制較低成本的前提下，在高整合平臺(tái)中利用合適的設(shè)備及手段，實(shí)現(xiàn)分離流程的自動(dòng)化控制，達(dá)到更高效的成果，這在工業(yè)生產(chǎn)進(jìn)程中需要重點(diǎn)解決。鑒于單片機(jī)芯片的簡單操作性，所以本文提出使用微型控制芯片作為核心，與上位機(jī)相連，結(jié)合外接電路的使用，完成流程運(yùn)行中參數(shù)的檢測、信號(hào)的處理以及設(shè)備的控制，展開對(duì)試驗(yàn)型分離系統(tǒng)的研究。本課題的研究設(shè)計(jì)方案考慮了系統(tǒng)整體的硬件及其電路部分和軟件兩大方面。在硬件電路方面，本篇文章在第三章先是將系統(tǒng)結(jié)構(gòu)劃分為四個(gè)部分，包括工作部分（分離單元）、動(dòng)力系統(tǒng)（空氣壓縮）、傳輸系統(tǒng)（循環(huán)泵）以及過程控制（工藝流程控制），這是這次方案設(shè)計(jì)的主體結(jié)構(gòu)。而在結(jié)構(gòu)的硬件電路方面分幾個(gè)重要模塊，包括核心單片機(jī)控制及其外圍電路、流量檢測模塊、差壓檢測模塊、閥門和循環(huán)泵的硬件驅(qū)動(dòng)，在這些方面分別對(duì)各自的硬件電路設(shè)計(jì)、檢測機(jī)理，還有相應(yīng)的PID算法等作了詳細(xì)的說明。方案中考慮到操作人員與系統(tǒng)的交互，添加了上位機(jī)的設(shè)計(jì)。利用組態(tài)軟件對(duì)人機(jī)界面進(jìn)行編輯制作，通過以太網(wǎng)或USB接口方式向其中下載編寫程序，完成操作人員、工作系統(tǒng)和控制介質(zhì)的統(tǒng)一結(jié)合，真正實(shí)現(xiàn)過程的自動(dòng)化控制。操作人員可以利用交互平臺(tái)，很直觀地對(duì)過程工作狀態(tài)和其中的觀測參數(shù)進(jìn)行監(jiān)控，實(shí)時(shí)的掌握動(dòng)態(tài)，進(jìn)而方便的根據(jù)實(shí)際情況作出調(diào)整。本次提出的方案中，第一個(gè)優(yōu)勢是雙筒形結(jié)構(gòu)。在單桶工作、清洗循環(huán)中會(huì)出現(xiàn)停機(jī)，這在連續(xù)生產(chǎn)過程中是難以接受的，而且多次的拆卸可能會(huì)影響分離介質(zhì)的有效利用。雙筒形結(jié)構(gòu)可以很好的避免這一點(diǎn)，在一臺(tái)罐體已經(jīng)到達(dá)需要清洗的臨界點(diǎn)時(shí)，系統(tǒng)可以自動(dòng)切換，開啟另一臺(tái)設(shè)備進(jìn)行分離處理，此時(shí)原先的設(shè)備開始清洗操作，這樣保證了生產(chǎn)過程的連續(xù)性。第二個(gè)是采用金屬編織燒結(jié)網(wǎng)作為過濾材料，這樣克服了傳統(tǒng)柔性材料不易清渣、使用壽命短等缺點(diǎn)。試驗(yàn)中利用濁度檢測設(shè)備，在分離試驗(yàn)過程的關(guān)鍵工藝點(diǎn)進(jìn)行在線監(jiān)測，通過不同階段料漿的檢測數(shù)據(jù)獲得當(dāng)前料漿處理前（后）懸浮物的含量值，以此為依據(jù)自動(dòng)調(diào)節(jié)系統(tǒng)參數(shù)，達(dá)到工藝設(shè)計(jì)的最佳工作效果。根據(jù)這次所選取的試樣檢測結(jié)果，本文認(rèn)為已經(jīng)達(dá)到了預(yù)設(shè)的要求，完成了對(duì)固液體系的有效分離。

簡介：電化學(xué)測量系統(tǒng)的縮寫就是電化學(xué)工作站本質(zhì)是用來控制和監(jiān)測電化學(xué)設(shè)備的電流、電位及其他電化學(xué)參數(shù)的變化常用于電化學(xué)研究和教學(xué)。本論文中的電化學(xué)工作站可進(jìn)行23種不同電化學(xué)測試需要完成測試控制、數(shù)據(jù)傳輸、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)及數(shù)據(jù)分析功能并且最高采樣頻率可達(dá)100MHZ而目前國內(nèi)外電化學(xué)工作站最高采樣率僅為10MHZ。由于此設(shè)計(jì)需求導(dǎo)致本系統(tǒng)在進(jìn)行電化學(xué)測試時(shí)產(chǎn)生大量的測試數(shù)據(jù)傳輸時(shí)需要較大的傳輸帶寬存儲(chǔ)時(shí)需要更多的磁盤資源。這些問題將會(huì)影響系統(tǒng)的傳輸速率和性能導(dǎo)致系統(tǒng)硬件資源不足。因此本論文將圍繞提高電化學(xué)工作站測試數(shù)據(jù)的傳輸及存儲(chǔ)效率進(jìn)行電化學(xué)工作站高效傳輸及存儲(chǔ)子系統(tǒng)和關(guān)鍵模塊的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)展開高效傳輸及存儲(chǔ)策略的研究。本系統(tǒng)傳輸平臺(tái)以S3C2440A為主控芯片其中CS8900A網(wǎng)絡(luò)傳輸芯片能提供的以太網(wǎng)傳輸速率低于10MBPS而電化學(xué)工作站最高可達(dá)100MHZ采樣率同時(shí)又由于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的硬盤資源有限因此系統(tǒng)傳輸速率與帶寬不匹配導(dǎo)致了傳輸及存儲(chǔ)的瓶頸。分析電化學(xué)工作站測試數(shù)據(jù)特性數(shù)據(jù)量大、持續(xù)時(shí)間長、較有規(guī)律、可能具有嚴(yán)格周期性等特點(diǎn)。因此可采取數(shù)據(jù)壓縮傳輸及壓縮存儲(chǔ)的策略提高數(shù)據(jù)的傳輸及存儲(chǔ)效率。本文將根據(jù)其數(shù)據(jù)特點(diǎn)分別從數(shù)據(jù)和信號(hào)兩個(gè)角度研究與對(duì)比傳統(tǒng)數(shù)據(jù)壓縮算法和重采樣算法設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)ARM9LINUX的傳輸平臺(tái)LINUXQT4的開發(fā)環(huán)境MFCACLE10G的控制及存儲(chǔ)平臺(tái)并提出將傳統(tǒng)數(shù)據(jù)壓縮和重采樣技術(shù)相結(jié)合的方式進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)的傳輸及存儲(chǔ)效率。首先研究與對(duì)比常用的傳統(tǒng)數(shù)據(jù)壓縮算法利用LZW壓縮算法處理冗余數(shù)據(jù)提高50％左右的數(shù)據(jù)壓縮傳輸及存儲(chǔ)效率。其次鑒于傳統(tǒng)數(shù)據(jù)壓縮并不能解決10倍左右的傳輸瓶頸因此又研究與對(duì)比重采樣信號(hào)處理方式在過采樣和多周期等效采樣情況下實(shí)現(xiàn)信號(hào)的重采樣壓縮傳輸或者再與傳統(tǒng)數(shù)據(jù)壓縮相結(jié)合。然后根據(jù)以上研究設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)一款基于S3C2440A的嵌入式控制平臺(tái)包括本系統(tǒng)數(shù)據(jù)傳輸鏈路的軟硬件設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)LINUX系統(tǒng)移植及驅(qū)動(dòng)設(shè)備程序的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)。最后研究數(shù)據(jù)庫的壓縮技術(shù)、索引技術(shù)、備份技術(shù)和分區(qū)技術(shù)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的壓縮存儲(chǔ)從結(jié)構(gòu)上再次提高數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)效率和檢索效率。對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行測試數(shù)據(jù)傳輸及存儲(chǔ)效率能提高220倍可實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的高效傳輸及存儲(chǔ)并且保證在信號(hào)完整性、傳輸實(shí)時(shí)性及占有存儲(chǔ)資源方面能取得平衡。

簡介：無論是在電池的壽命研究中還是在金屬的腐蝕研究中電化學(xué)測試與分析必不可少但是由于目前各行業(yè)之間的專業(yè)知識(shí)存在斷層現(xiàn)象電化學(xué)工作站往往難以實(shí)現(xiàn)全面的測試與分析。針對(duì)上述存在的問題本文采用電化學(xué)測試和軟件分析相結(jié)合的方法基于MFC框架設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)了一套完整的智能化的電化學(xué)數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)系統(tǒng)中主要完成的功能如下1實(shí)時(shí)波形處理功能主要有三種方法SGSAVITZKYGOLAY平滑、巴特沃斯濾波、誤差修正。該功能主要是針對(duì)不同特點(diǎn)的信號(hào)用戶可根據(jù)實(shí)際需要選擇不同的方法進(jìn)行處理。針對(duì)誤差較小的信號(hào)可采用SG平滑方法進(jìn)行數(shù)據(jù)平滑針對(duì)疊加信號(hào)以及高頻噪聲信號(hào)可采用巴特沃斯濾波方法截取某頻率的信號(hào)進(jìn)行觀察針對(duì)存在突變點(diǎn)的信號(hào)可采用誤差修正方法對(duì)其坐標(biāo)值進(jìn)行修正。2波形參數(shù)分析功能主要是估計(jì)信號(hào)頻率和相位差以便獲取信號(hào)的阻抗譜。本文針對(duì)信號(hào)頻率和相位差估計(jì)方法進(jìn)行了仿真對(duì)比對(duì)比結(jié)果發(fā)現(xiàn)M_RIFE算法具有估計(jì)精度高、抗噪性強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)所以本文采用M_RIFE算法對(duì)信號(hào)頻率進(jìn)行估計(jì)并在此基礎(chǔ)上分別估計(jì)兩信號(hào)的相位然后相減獲取兩信號(hào)的相位差。3阻抗分析功能主要是根據(jù)計(jì)算所得的阻抗譜獲取被測對(duì)象的等效電路及其等效元件參數(shù)值。國外較為先進(jìn)的電化學(xué)工作站IVIUM儀器在數(shù)據(jù)分析方面功能比較全面但是針對(duì)阻抗分析用戶必須自己畫出等效電路圖然后軟件自動(dòng)計(jì)算出等效元件參數(shù)值。本文在其基礎(chǔ)上進(jìn)行了改進(jìn)不但可以在已知等效電路的情況下獲取等效元件參數(shù)值還可以在未知等效電路的情況下根據(jù)阻抗譜圖的特征自動(dòng)估計(jì)等效電路圖和計(jì)算等效元件參數(shù)值使阻抗分析更加自動(dòng)化和智能化。本論文對(duì)上述功能的實(shí)現(xiàn)技術(shù)和方法進(jìn)行了研究并將所有功能集成在電化學(xué)數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)中使電化學(xué)工作站的數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)更加全面和智能。本文對(duì)數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)進(jìn)行了全面測試測試結(jié)果表明波形參數(shù)分析和阻抗分析都具有較高的精確度界面操作簡潔大方滿足設(shè)計(jì)要求。

簡介：點(diǎn)擊查看更多有機(jī)物和硝酸鹽對(duì)硫自養(yǎng)-電化學(xué)氫自養(yǎng)組合工藝還原高氯酸鹽性能的影響.pdf精彩內(nèi)容。

簡介：化學(xué)鍍銀纖維已成為近幾年電磁屏蔽服裝的主要原材料，其質(zhì)量和性能直接影響到最終產(chǎn)品的電磁屏蔽性能。本文以錦綸纖維為基體，通過化學(xué)鍍技術(shù)，包括粗化、敏化、活化和還原等工序，制備了性能良好的可用于電磁屏蔽服裝開發(fā)的銀纖維長絲。首先探討了氫氧化鈉和丙酮的除油效果。實(shí)驗(yàn)表明，丙酮優(yōu)于氫氧化鈉，可徹底清除錦綸表面的油劑；進(jìn)而探索了鹽酸對(duì)錦綸的粗化處理工藝。實(shí)驗(yàn)表明，以10％的鹽酸，低頻震蕩處理60MIN，可獲得較好的粗化效果；把敏化和活化處理作為化學(xué)鍍銀的重要步驟加以研究。研究表明，濃度為15GL的氯化亞錫，超聲波震蕩40MIN，可獲得較好的效果；以濃度為03GL氯化鈀，靜置40MIN活化效果最佳。重點(diǎn)研究了還原工藝。研究表明，還原的最佳工藝為葡萄糖的濃度為6GL，硝酸銀濃度10GL，乙醇濃度25GL，硫脲濃度04MGL，PH為11，浴比18；甲醛濃度06GL，硝酸銀濃度10GL，乙醇濃度25GL，硫脲濃度04MGL，PH為11，浴比110。電鏡觀察表明，所鍍銀纖維的銀層結(jié)構(gòu)完整，結(jié)合牢度較好，超聲波清洗五次重量損失率在5以內(nèi)?？咕鷮?shí)驗(yàn)表明，以葡萄糖為還原劑鍍銀后的織物對(duì)金黃色葡萄糖球菌的抑菌率達(dá)到924，對(duì)大腸桿菌的抑菌率達(dá)到906；以甲醛為還原劑鍍銀后的織物對(duì)大腸桿菌的抑菌率達(dá)到901，對(duì)大腸桿菌的抑菌率達(dá)到889。電磁屏蔽性能檢測實(shí)驗(yàn)表明，以葡萄糖為還原劑的鍍銀織物，屏蔽效能為999929；以甲醛為還原劑的鍍銀織物的屏蔽效能為999878。

簡介：化學(xué)鍍是利用溶液中的氧化劑與還原劑進(jìn)行氧化還原反應(yīng)，在工件基體上（金屬或非金屬）獲得鍍層的表面處理方法。與電鍍工藝比較，化學(xué)鍍不需要外加電源，對(duì)形狀復(fù)雜的工件，如含有腔體，深孔，管道、溝槽、拐角、夾縫等，化學(xué)鍍都可以得到滿意鍍層，使得它在工業(yè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。基于化學(xué)鍍NIP合金原理，研究了NIPPTFENIP聚四氟乙烯復(fù)合化學(xué)鍍工藝。采用添加表面活性劑降低溶液表面張力并結(jié)合攪拌分散方法，解決微米級(jí)PTFE粉末在化學(xué)鍍?nèi)芤褐械膱F(tuán)聚和鍍液不穩(wěn)定的困難。利用化學(xué)沉淀法處理NIPPTFE復(fù)合化學(xué)鍍廢液，并回收化學(xué)鍍廢液中鎳鹽。硫鐵礦是生產(chǎn)硫酸的主要原料。我國目前用硫鐵礦制硫酸，每年將產(chǎn)生千萬噸級(jí)硫鐵礦燒渣，其主要成分是氧化鐵、氧化亞鐵和二氧化硅。硫鐵礦燒渣的直接排放，造成環(huán)境污染和資源浪費(fèi)。從資源利用和環(huán)境保護(hù)考慮，研究用硫酸渣制備三氯化鐵，探索解決硫鐵礦燒渣產(chǎn)生的環(huán)境問題和資源循環(huán)利用。本論文主要研究成果如下1確立了NIPPTFE復(fù)合化學(xué)鍍鍍液的基礎(chǔ)配方及最佳工藝參數(shù)。2制備的NIPPTFE復(fù)合鍍層與工件基體結(jié)合力強(qiáng)，具有耐磨損、耐腐蝕、自潤滑特性。3調(diào)控化學(xué)鍍廢液處理的PH值及工藝參數(shù)，廢液中鎳鹽回收率可達(dá)96％以上。4采用兩段酸溶法，制得的三氯化鐵含量達(dá)到40％，其砷、鉛含量均低于20PPM。

簡介：水泥基壓電復(fù)合材料是大型土木工程智能監(jiān)測系統(tǒng)的重要組成部分。它與混凝土具有良好的相容性，具有高強(qiáng)度、靈敏的感知度且成本較低，因此它的研制可以改造傳統(tǒng)水泥基材料，使其應(yīng)用到更多的領(lǐng)域中。但是只有在水泥基壓電復(fù)合材料表面制備性能良好的電極之后，其壓電性能才能得到發(fā)揮。因此，研制適合水泥基壓電復(fù)合材料電極的制備工藝具有重要意義。本文以PZT5壓電陶瓷為功能體材料，以環(huán)氧樹脂與普通硅酸鹽水泥的混合物為基體材料，用二次切割澆注法制備13型水泥基壓電復(fù)合材料，并采用無鈀活化化學(xué)鍍鎳的方法在其表面制備電極，綜合單因素實(shí)驗(yàn)結(jié)果、正交實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析無鈀活化工藝及施鍍工藝對(duì)鍍速及鍍層性能的影響。以最佳粗化工藝、堿性鍍液為前提，以鍍層的外觀、鍍速、含磷量和耐腐蝕性為主要指標(biāo)，采用單因素實(shí)驗(yàn)，研究活化順序、活化主鹽、還原溶劑組成對(duì)鍍層性能的影響。結(jié)果表明采用無鈀活化法對(duì)水泥基壓電復(fù)合材料表面進(jìn)行化學(xué)鍍鎳的最優(yōu)工藝順序?yàn)榇蚰ァ汀只€原→活化→施鍍；活化主鹽優(yōu)選乙酸鎳；還原劑硼氫化鈉的最佳溶劑為甲醇體積分?jǐn)?shù)為50％的甲醇水混合液。采用單因素實(shí)驗(yàn)研究活化主鹽濃度、活化時(shí)間、活化溫度對(duì)鍍層外觀、鍍速、結(jié)合力、耐蝕性的影響，以鍍速為主要指標(biāo)，采用正交實(shí)驗(yàn)優(yōu)化活化工藝條件，確定最優(yōu)活化工藝參數(shù)。選取五種活化液添加劑碘化鉀、乙二胺、聚乙二醇、十二烷基硫酸鈉、十六烷基三甲基溴化銨，在最佳活化工藝基礎(chǔ)上探討活化液添加劑對(duì)鍍層性能的影響，確定最優(yōu)添加劑及其濃度。結(jié)果表明，最佳活化工藝條件乙酸鎳濃度25GL，活化時(shí)間10MIN，活化溫度35℃；活化液中最優(yōu)添加劑為聚乙二醇，最優(yōu)添加劑濃度為30MGL。對(duì)有鈀活化法和經(jīng)過改進(jìn)后的無鈀活化法所得到的鍍層做了對(duì)比，結(jié)果表明經(jīng)過改進(jìn)后的無鈀活化法得到的鍍層鍍速更高，鍍層表面微觀形貌和耐蝕性更好，因此有鈀活化法不適合水泥基壓電復(fù)合材料表面化學(xué)鍍鎳。在原有堿性鍍液的基礎(chǔ)上改進(jìn)鍍液配方，得到偏中性鍍液，并通過單因素實(shí)驗(yàn)、正交實(shí)驗(yàn)確定最佳施鍍工藝條件。結(jié)果表明偏中性鍍液配方為NISO47H2O20GL，NA3C6H5O72H2O12GLNAH2PO2H2O30GL，CH3COONA12GL，NA2B4O710H2O8GL；最佳施鍍工藝條件為施鍍PH值80，施鍍溫度50℃，施鍍時(shí)間20MIN。對(duì)最佳活化工藝和施鍍工藝得到的鍍層進(jìn)行性能分析，結(jié)果表明最佳活化和施鍍條件下得到的鍍層表面平整、光亮，晶粒大小均勻、結(jié)合緊密，鍍層斷面檢測顯示其厚度約為250NM，與基體結(jié)合緊密；陶瓷基體表面鍍層磷含量高達(dá)1321，水泥基體表面磷含量高達(dá)1219，鍍層成分較為均勻；鍍層表面電阻率為0876ΩCM，導(dǎo)電性較好，可以有效增加壓電材料的工作性能。

簡介：氮化硼薄膜是一種類石墨烯蜂巢晶格結(jié)構(gòu)的薄膜，由交替的硼原子和氮原子組成。氮化硼薄膜繼承了氮化硼塊體材料的力學(xué)、電學(xué)、熱學(xué)和光學(xué)方面的優(yōu)異性能，并且由于其特殊的二維結(jié)構(gòu)，使其擁有更多的特性和更廣泛的應(yīng)用前景。氮化硼薄膜目前尚處于基礎(chǔ)研究階段，其制備方法尚不成熟。本文在綜述氮化硼薄膜制備工藝的基礎(chǔ)上，采用化學(xué)氣相沉積（CVD）工藝，以硼吖嗪（BAZINE）為氮化硼先驅(qū)體，以NI、CU和碳材料為襯底，成功制備出結(jié)晶度高、尺寸大并且厚度均勻的氮化硼薄膜。本文提出了NI襯底表面氮化硼薄膜的制備和層數(shù)控制方法；研究了CU襯底表面氮化硼單晶長大和薄膜生長的規(guī)律，并制備出最大尺寸約20ΜM的氮化硼單晶；在石墨烯和碳?xì)饽z表面制備了氮化硼薄膜，并通過工藝控制，制備出超輕氮化硼氣凝膠，該氮化硼氣凝膠實(shí)際為三維結(jié)構(gòu)的氮化硼薄膜；研究了氮化硼薄膜的光學(xué)、電學(xué)以及抗氧化特性。采用CVD工藝，在鎳襯底表面制備了厚度為數(shù)原子層的連續(xù)氮化硼薄膜。研究了不同CVD溫度、時(shí)間、稀釋氣等工藝參數(shù)對(duì)氮化硼薄膜的影響，實(shí)現(xiàn)了氮化硼薄膜的層數(shù)控制，總結(jié)出薄膜的層數(shù)控制機(jī)理。NI襯底表面氮化硼薄膜制備優(yōu)化的CVD工藝條件是溫度1000°C、常壓、生長時(shí)間15MIN、稀釋氣為ARH2混合氣、BAZINEH2AR的比例為245225。通過工藝控制，可以實(shí)現(xiàn)薄膜原子層數(shù)在2到10層以上變化，層間間距均為034±001NM。氮化硼薄膜生長過程中同時(shí)存在外延生長和擴(kuò)散偏析兩種機(jī)制，薄膜的最終厚度是兩種機(jī)制共同控制的結(jié)果。在CVD過程（外延生長過程），氮化硼薄膜在鎳表面外延生長，同時(shí)，B和N原子向鎳襯底或其晶界中溶解；在降溫冷卻過程中（擴(kuò)散偏析過程），鎳襯底中的B和N原子受到襯底冷卻收縮的擠壓作用，偏析至襯底表面形成新增的的氮化硼原子層。CVD時(shí)間的延長對(duì)薄膜厚度的影響，體現(xiàn)了薄膜的外延生長機(jī)制，而CVD結(jié)束后降溫速率對(duì)氮化硼薄膜厚度的影響，則體現(xiàn)了氮化硼薄膜的擴(kuò)散偏析機(jī)制。隨著冷卻速率的提升，氮化硼薄膜的厚度升高，但是厚度均勻性下降。采用NISI復(fù)合襯底，高溫下硅原子和鎳原子在界面處發(fā)生反應(yīng)形成鎳硅化合物阻擋層，阻止B和N原子在NI襯底的溶解和擴(kuò)散，保證氮化硼薄膜直接在NI表面的外延生長，即可在NI表面制備出單原子層連續(xù)的氮化硼薄膜。采用CVD工藝，在銅表面制備了單原子層的連續(xù)氮化硼薄膜和大尺寸氮化硼單晶。研究了不同CVD溫度、時(shí)間、氣體條件和襯底狀態(tài)等工藝參數(shù)對(duì)氮化硼薄膜的影響。銅襯底表面氮化硼單晶和薄膜制備優(yōu)化的CVD工藝條件是拋光銅襯底、生長溫度1000°C、低壓、稀釋氣為ARH2混合氣、BAZINEH2AR的比例為1180270。1000°C制備的氮化硼單晶，具有正三角形形貌，最大尺寸約20ΜM。依據(jù)化學(xué)熱力學(xué)，對(duì)于高溫下的銅表面的氮化硼薄膜，以B原子終結(jié)的邊界不穩(wěn)定，而N原子終結(jié)的邊界則可以穩(wěn)定存在，因此氮化硼薄膜傾向于呈現(xiàn)正三角形形貌。銅表面的氮化硼薄膜生長為外延生長，延長CVD時(shí)間（1560MIN），可以觀察到氮化硼從形核到單晶疇長大并最終制備連續(xù)薄膜的過程。由于BAZINE的分解副產(chǎn)物為氫氣，考慮到化學(xué)平衡的影響，采用ARH2混合氣體作為反應(yīng)稀釋氣，可以制備出質(zhì)量較好的氮化硼單晶和薄膜。氫氣的存在對(duì)氮化硼薄膜和單晶存在刻蝕和修飾的作用，有助于氮化硼單晶的正三角形形貌的形成。銅襯底的拋光和富氧化等表面狀態(tài)，對(duì)氮化硼產(chǎn)物的生長有較大影響。采用CVD工藝，在石墨烯襯底上制備了氮化硼薄膜，研究了CVD溫度、時(shí)間對(duì)氮化硼薄膜的影響。900°C是在石墨烯表面制備氮化硼晶疇的優(yōu)化溫度。石墨烯表面氮化硼晶疇的生長可以分為三個(gè)過程，即吸附過程、成核過程和晶疇生長過程。在較高的溫度下，當(dāng)?shù)饐卧蜃杂苫膭?dòng)能過大，其在襯底表面的吸附進(jìn)程受到抑制，解吸附占主導(dǎo)作用，進(jìn)而導(dǎo)致晶疇的成核密度降低；在較低溫度下，結(jié)果反之。石墨烯為原子級(jí)超平整襯底，對(duì)氮化硼的生長無催化作用，通過延長CVD時(shí)間，在CVD初期，持續(xù)存在著氮化硼晶疇的吸附、成核和晶疇長大過程；在CVD后期，氮化硼晶疇覆蓋率達(dá)到一定比例后，很難在未覆蓋襯底區(qū)域?qū)崿F(xiàn)吸附、成核和晶疇生長的連續(xù)過程，沿著舊的成核中心垂直方向生長將占主導(dǎo)地位，最終導(dǎo)致難以制備連續(xù)薄膜。采用模板輔助CVD法，以碳?xì)饽z為模板在900°C制備了氮化硼薄膜，進(jìn)而采用600°C高溫氧化法除去碳?xì)饽z模板，獲取氮化硼氣凝膠。該氮化硼氣凝膠實(shí)際為特殊三維結(jié)構(gòu)的氮化硼薄膜。氮化硼氣凝膠晶格結(jié)構(gòu)與碳材料相似，但結(jié)晶度略低于碳?xì)饽z，因?yàn)樘家r底對(duì)薄膜的生長無催化作用。在CVD時(shí)間30MIN成功制備出體積密度為06MGCM3的超輕氮化硼氣凝膠，該密度遠(yuǎn)低于空氣的體積密度（129MGCM3）。氮化硼氣凝膠的比表面積可達(dá)1051M2G。研究了氮化硼薄膜的光學(xué)、電學(xué)以及抗氧化特性能。氮化硼薄膜在可見光區(qū)擁有良好的透光性，但在深紫外光區(qū)2030NM處具有強(qiáng)力吸收峰。單原子層氮化硼薄膜擁有605±003EV的光學(xué)帶隙。制備了電阻器件，并采用四端子法測試了轉(zhuǎn)移到SIO2SI表面的氮化硼薄膜的電阻。氮化硼薄膜擁有良好的絕緣特性，無明顯摻雜情況，品質(zhì)較高。氮化硼薄膜的抗氧化溫度上限為800°C，800°C以上溫度氧化后的氮化硼薄膜的RAMAN光譜的E2G特征峰強(qiáng)度開始減弱，頻率變高，并且半高寬變大，該結(jié)果分別歸因于氧化導(dǎo)致的氧元素?fù)诫s和氮化硼薄膜晶格無序化。氮化硼氣凝膠具備遠(yuǎn)超碳?xì)饽z的抗氧化性能，其開始氧化的溫度為800°C，氧化過程同時(shí)包含BN的氧化和B2O3的升華兩個(gè)變化，熱重分析結(jié)果顯示，即使氧化溫度達(dá)到1300°C，氮化硼氣凝膠的重量保留率仍超過60％。氮化硼氣凝膠為一種有選擇的吸附劑，其表面呈現(xiàn)超疏水性，但是對(duì)有機(jī)物（油）擁有較好的吸收性。氮化硼氣凝膠可以吸收自身重量160倍的有機(jī)物。采用直接空氣中點(diǎn)燃的方法，對(duì)吸油后的氣凝膠進(jìn)行復(fù)原，復(fù)原后的氣凝膠擁有與原始?xì)饽z相等的有機(jī)物吸附性能。本文實(shí)現(xiàn)了氮化硼薄膜的原子層數(shù)可控，并制備了大尺寸的三角形氮化硼單晶，以及超輕的氮化硼氣凝膠。下一步，將探索氮化硼薄膜在微電子器件尤其是石墨烯器件上的具體應(yīng)用，并制備更大尺寸的的氮化硼氣凝膠，以探索氮化硼氣凝膠的進(jìn)一步應(yīng)用。

簡介：點(diǎn)擊查看更多硫化工藝對(duì)高填充NR物理化學(xué)網(wǎng)絡(luò)及性能的影響.pdf精彩內(nèi)容。

簡介：現(xiàn)代化工過程控制中，分布式控制系統(tǒng)（DISTRIBUTEDCONTROLSYSTEM，DCS）已獲得了廣泛應(yīng)用。但是在DCS中，利用傳統(tǒng)的微波通信技術(shù)把采集的信息從數(shù)據(jù)采集點(diǎn)傳輸?shù)讲僮鲉T工作站的過程中易受其它雜波的干擾，嚴(yán)重影響該控制系統(tǒng)在大化工過程中的可靠性。而無線激光通信系統(tǒng)具有帶寬高、成本低、抗干擾能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，它在實(shí)現(xiàn)點(diǎn)對(duì)點(diǎn)之間的雙向通信方面具有廣泛的應(yīng)用前景。所以，本文提出了利用無線激光通信系統(tǒng)作為DCS中數(shù)據(jù)傳輸方式的設(shè)想。本文主要研究內(nèi)容是設(shè)計(jì)一種可用于DCS中、并采用基于光電探測器直接耦合的無線激光通信系統(tǒng)，并按照該系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案選擇器件、設(shè)計(jì)電路、焊接電路等，最終搭建了一個(gè)無線激光通信的硬件平臺(tái)。本文還先后通過現(xiàn)場可編程邏輯門陣列（FPGA）產(chǎn)生的偽隨機(jī)碼和方波分別定性、定量地測試了該硬件通信平臺(tái)的通信性能。本文的主要研究內(nèi)容大致分為兩大部分第一部分是關(guān)于該通信系統(tǒng)的硬件平臺(tái)的搭建工作。該部分主要介紹了本文設(shè)計(jì)的通信系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)和各部分的作用，并重點(diǎn)介紹了一些關(guān)鍵器件的性能特征，再根據(jù)所選擇器件的性能特征參數(shù)利用電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化軟件CADENCEDESIGNSYSTEMS設(shè)計(jì)了發(fā)射端系統(tǒng)和接收端系統(tǒng)的電路原理圖。第二部分是關(guān)于該無線激光通信系統(tǒng)的通信性能測試工作。該部分主要是利用FPGA產(chǎn)生了不同頻率的偽隨機(jī)碼，再利用該偽隨機(jī)碼調(diào)制發(fā)射端，通過分析接收端在偽隨機(jī)碼作用下形成的眼圖來定性評(píng)估該通信系統(tǒng)的性能指標(biāo)。另外，本文還通過測量不同頻率方波的峰峰值，計(jì)算出不同頻率信號(hào)的消光比，從而對(duì)該通信系統(tǒng)的通信性能進(jìn)行定量分析。經(jīng)過分析可知，本文設(shè)計(jì)的無線激光通信系統(tǒng)可以用于DCS中的短距離、低波段的信息傳輸。最終制作的無線激光通信系統(tǒng)硬件平臺(tái)的性能指標(biāo)如下激光波長為650NM；激光平均功率為55MW；適用信號(hào)頻率范圍是112MHZ；通信距離在1KM以內(nèi)；平均靈敏度為35ΜW（即2456DBM）。

簡介：隨著社會(huì)的進(jìn)步、經(jīng)濟(jì)的發(fā)展以及人口的急劇增加，中國的水資源問題變得日益嚴(yán)重。水資源短缺、需求大幅度增加、水體污染嚴(yán)重等問題已成為我國經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的重要制約因素，同時(shí)也加重了水處理的困難，給傳統(tǒng)的飲用水處理帶來了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。越來越多的新型水處理工藝隨之被開發(fā)出來，以達(dá)到提高飲用水水質(zhì)的目的。膜技術(shù)因其所具有的優(yōu)點(diǎn)而成為飲用水處理的一個(gè)重大突破，是21世紀(jì)最有前景的水處理技術(shù)之一。但膜技術(shù)是物理分離技術(shù)，對(duì)于水中小分子有機(jī)污染物等的去除率不高，會(huì)造成嚴(yán)重的膜污染。化學(xué)清洗無疑是解決膜污染的有效手段，但同時(shí)存在潛在的二次污染，給飲用水處理帶來了水質(zhì)安全風(fēng)險(xiǎn)。本研究是在混凝超濾裝置的基礎(chǔ)上，對(duì)膜進(jìn)行在線化學(xué)強(qiáng)化反沖洗，建立反沖洗副產(chǎn)物的檢測分析方法，分析膜清洗藥劑與膜污染物質(zhì)反應(yīng)產(chǎn)生的副產(chǎn)物，對(duì)生成的副產(chǎn)物的種類進(jìn)行甄別和篩選，確定典型反沖洗副產(chǎn)物；通過調(diào)節(jié)化學(xué)強(qiáng)化反沖洗水力參數(shù)（反洗壓力、反洗流量、反洗時(shí)間、反洗周期），分析其對(duì)典型副產(chǎn)物的生成和膜清洗效果的影響，以及化學(xué)強(qiáng)化反沖洗調(diào)控參數(shù)與典型副產(chǎn)物生成量變化和膜清洗效果的關(guān)系，確定最佳在線化學(xué)清洗參數(shù)，實(shí)現(xiàn)膜清洗技術(shù)的優(yōu)化調(diào)控。本研究建立了頂空進(jìn)樣氣相色譜檢測水中揮發(fā)性鹵代烴以及高效液相色譜質(zhì)譜聯(lián)用檢測水中鹵乙酸的方法，確定了12種揮發(fā)性鹵代烴以及9種鹵乙酸類化合物，鹵乙酸占了副產(chǎn)物總量的85％以上，且所有典型副產(chǎn)物隨著膜過濾出水時(shí)間的延長，濃度均逐漸降低；綜合考察單一因素變化對(duì)典型副產(chǎn)物生成和膜清洗效果的影響，最終確定膜化學(xué)反沖洗的最佳清洗參數(shù)為反洗時(shí)間4MIN、反洗周期120MIN、反洗藥劑濃度25MGL、反洗流量20LM2H；選用致癌風(fēng)險(xiǎn)評(píng)價(jià)典型副產(chǎn)物對(duì)人類健康的影響，在最佳參數(shù)反洗條件下，副產(chǎn)物總的致癌風(fēng)險(xiǎn)為52881106。