半導(dǎo)體封裝噴涂設(shè)備生產(chǎn)率提高的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn).pdf

1、12寸晶圓憑借較低成本、較高的生產(chǎn)效率逐漸取代了傳統(tǒng)的8寸晶圓，晶片大小的改變促使生產(chǎn)工藝流程也隨著發(fā)生了一些變化。本文研究的對(duì)象是在半導(dǎo)體封裝過程中由于晶圓大小改變而引入的新工藝設(shè)備--噴涂設(shè)備，該設(shè)備的作用是在晶圓表面噴涂一層薄膜，用來保護(hù)晶圓上焊點(diǎn)在芯片切分過程不被污染。目前，如何提高該設(shè)備的生產(chǎn)能力和生產(chǎn)效率，國內(nèi)外還沒有相關(guān)研究。本課題從減小設(shè)備噴涂周期和批次間（兩批產(chǎn)品間）準(zhǔn)備時(shí)間兩個(gè)角度出發(fā)，對(duì)噴涂過程進(jìn)行優(yōu)化，并采用Zy

2、go公司薄膜測(cè)量設(shè)備對(duì)優(yōu)化總體進(jìn)行檢驗(yàn)，提高了設(shè)備的生產(chǎn)率。
　　首先，本文通過對(duì)該設(shè)備生產(chǎn)率模型的靈敏度分析，找到影響生產(chǎn)率的兩大主要因素：晶圓噴涂周期和批次間準(zhǔn)備時(shí)間。
　　第二，對(duì)晶圓噴涂周期的優(yōu)化是建立在薄膜厚度模型基礎(chǔ)上，在保證薄膜厚度不變的前提下，對(duì)模型參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化，提高了設(shè)備生產(chǎn)率，并對(duì)設(shè)備優(yōu)化前后的薄膜重量采用JMP軟件進(jìn)行了獨(dú)立均值t檢驗(yàn)，結(jié)果證明對(duì)晶圓噴涂周期的優(yōu)化可行，提高噴涂設(shè)備生產(chǎn)率4.47％

3、>　　第三，對(duì)批次間準(zhǔn)備時(shí)間的優(yōu)化是通過減少測(cè)機(jī)的等待時(shí)間來完成的，測(cè)機(jī)過程是為了檢驗(yàn)當(dāng)前設(shè)備噴涂薄膜厚度是否在標(biāo)準(zhǔn)范圍內(nèi)，等待時(shí)間是為了讓涂料在設(shè)備內(nèi)揮發(fā)一段時(shí)間，等重量相對(duì)穩(wěn)定后測(cè)量。通過均勻?qū)嶒?yàn)設(shè)計(jì)和采用SPSS軟件進(jìn)行非線性回歸分析，構(gòu)建了涂料在設(shè)備內(nèi)部、設(shè)備外部、通風(fēng)柜的三個(gè)揮發(fā)模型，在三個(gè)模型的基礎(chǔ)上，提出對(duì)測(cè)機(jī)等待時(shí)間的優(yōu)化方案，并對(duì)優(yōu)化前后的薄膜重量采用JMP軟件進(jìn)行了獨(dú)立均值t檢驗(yàn)，提高噴涂設(shè)備生產(chǎn)率7.75%。