嵌入式memory內(nèi)建自測(cè)試算法.pdf_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、本文對(duì)嵌入式內(nèi)存的內(nèi)建自測(cè)試技術(shù)的核心問題——測(cè)試算法進(jìn)行了研究，并對(duì)其他內(nèi)存測(cè)試方法作了介紹和比較。在原有測(cè)試算法的基礎(chǔ)上對(duì)其進(jìn)行了修正，提出了具有更高的故障覆蓋率，并且具有更好的故障診斷能力的測(cè)試算MARCHTB+算法，通過在自主研發(fā)的Garfield4芯片中的實(shí)驗(yàn)可知，它實(shí)現(xiàn)了在具有很高故障覆蓋率的前提下提高了故障診斷能力。對(duì)地址譯碼故障(AF)，傳輸故障(TF)，stuck_at故障(SAF)，耦合故障(CF)，數(shù)據(jù)保留故障(D

2、RF)這些主要內(nèi)存故障的覆蓋率達(dá)到100％，除了stuckat1故障與傳輸故障中由1到0的轉(zhuǎn)換故障，其他故障都能診斷出故障類型，尤其是解決了stuckat0故障與傳輸故障中由0到1的轉(zhuǎn)換故障，狀態(tài)耦合中低位1決定高位0與高位1決定低位0，低位0決定高位1與高位0決定低位1的診斷問題，由于算法的修正使得測(cè)試時(shí)間相比于原有的Garfield4中MARCHC-(2.1毫秒)有所增加，為3毫秒(時(shí)間數(shù)據(jù)都指是20K的eSRAM分成4塊同時(shí)測(cè)試的

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