SoC嵌入式Flash的內(nèi)建自測試方法的研究與實現(xiàn).pdf

1、現(xiàn)代社會是信息化的社會，信息化社會離不開對信息的存儲，所以存儲器在我們的生活中的應(yīng)用越來越廣泛。在 SoC芯片中，存儲器所占據(jù)的比重在逐漸增加。據(jù)估計，到2016年，SoC芯片總面積的95％以上將被嵌入式存儲器所占據(jù)。在眾多種類的存儲器中，F(xiàn)lash作為一種非易失性存儲器，以其掉電后仍能保持?jǐn)?shù)據(jù)的特點倍受青睞。Flash存儲器容量的不斷增加，集成度的不斷提高，導(dǎo)致其缺陷越來越多，對其的測量也就越來越困難。此外，機臺測試的費用由于 SoC

2、芯片管腳和速度的增加，變得越來越高昂。所以本文針對以上問題對SoC嵌入式Flash內(nèi)建自測試方法進行了研究。
　　本論文首先介紹了Flash存儲器的基本結(jié)構(gòu)和工作原理，結(jié)合其結(jié)構(gòu)和工作原理對存儲器的固有故障和Flash的特有故障進行了分析和研究。固有故障包括：固定故障、轉(zhuǎn)換故障和橋接故障等，特有故障包括：直流寫(DC-Programming)、直流擦(DC-Erasure)和漏極干擾(Drain Disturbance)等。通過對

3、這些故障產(chǎn)生機理的研究，有助于更好的對Flash進行測試。
　　其次，本論文對存儲器的測試方法進行了深入的研究。主要分析了幾種常見的存儲器測試算法：MSCAN算法、Gallop算法、Checkboard算法和March及其衍生算法的復(fù)雜度和故障覆蓋率。由于Flash存儲器的特殊結(jié)構(gòu)及訪問機制，本文將 Checkboard做了相應(yīng)的改進以便將其應(yīng)用到 Flash存儲器的測試中。最終本文確定以改進的Checkboard算法和March