集成電路隨機(jī)缺陷成品率預(yù)測技術(shù)研究.pdf

1、隨著集成電路產(chǎn)業(yè)進(jìn)入納米工藝時(shí)代，由隨機(jī)缺陷造成的成品率問題越來越嚴(yán)重。巨額的生產(chǎn)成本和更短的上市周期，要求在產(chǎn)品設(shè)計(jì)階段就能對成品率做出快速而準(zhǔn)確的預(yù)測，并能通過改進(jìn)設(shè)計(jì)提高成品率。
　　本文圍繞隨機(jī)缺陷成品率預(yù)測技術(shù)，通過如下工作對成品率預(yù)測的準(zhǔn)確性和有效性進(jìn)行了改進(jìn):
　　1.針對化學(xué)機(jī)械研磨工藝特有的劃痕缺陷，引入一種線形缺陷模型。使用圓缺陷模型對示例版圖提取得到的平均關(guān)鍵面積是線形缺陷模型的2倍多。通過對粒子缺陷和

2、線形缺陷分開建模并計(jì)算對成品率的影響，提高了成品率預(yù)測的精度。
　　2.針對曼哈頓版圖，提出一個(gè)新的關(guān)鍵面積數(shù)學(xué)模型。通過分析證明，得到曼哈頓版圖的關(guān)鍵面積是一個(gè)關(guān)于缺陷尺寸的分段二次函數(shù)，并給出了求函數(shù)系數(shù)和分界點(diǎn)的方法。
　　3.結(jié)合2中提出的關(guān)鍵面積數(shù)學(xué)模型，對傳統(tǒng)的多邊形算子方法進(jìn)行改進(jìn)。通過有效選擇缺陷尺寸并提取關(guān)鍵面積，得到連續(xù)的關(guān)鍵面積值。避免了不必要的關(guān)鍵面積提取，消除了傳統(tǒng)方法的積分誤差。實(shí)驗(yàn)證明改進(jìn)的多邊