左心房低電壓對(duì)心房顫動(dòng)射頻消融結(jié)果的影響.pdf

1、目的:探討存在左房低電壓對(duì)房顫患者接受射頻消融手術(shù)結(jié)果的影響，評(píng)價(jià)房顫射頻消融術(shù)后復(fù)發(fā)的影響因素。
　　方法:入選2012年3月至2013年5月于天津市胸科醫(yī)院心內(nèi)科行首次射頻消融的心房顫動(dòng)患者共50例，其中持續(xù)性房顫患者18例，陣發(fā)性房顫患者32例。在Ensite Navx三維標(biāo)測(cè)系統(tǒng)指導(dǎo)下行房顫射頻消融術(shù)。對(duì)于陣發(fā)性房顫患者行環(huán)肺靜脈消融(Circumferential Pulmonary vein ablation CPVA

2、)，消融終點(diǎn)為左右肺靜脈電位消失或肺靜脈電位完全電隔離不能經(jīng)消融徑線傳出，并經(jīng)ATP及異丙腎上腺素誘發(fā)后仍無肺靜脈電位傳出。持續(xù)性房顫患者，術(shù)前行電復(fù)律或藥物復(fù)律，行雙側(cè)肺靜脈的CPVA術(shù)后，行左房頂部線、二尖瓣環(huán)峽部線或左房前壁線直至消融線實(shí)現(xiàn)雙向阻滯。所有入選患者記錄其臨床基本資料，同時(shí)消融前竇性心律下應(yīng)用lasso標(biāo)測(cè)電極進(jìn)行電壓標(biāo)測(cè)。記錄后計(jì)算平均雙極電壓幅度、低電壓區(qū)及瘢痕區(qū)面積。低電壓區(qū)域定義為雙極電壓幅度在0.05-0.5

3、mv之間，瘢痕區(qū)域定義為局部雙極電壓振幅小于0.05mv。計(jì)算瘢痕區(qū)及低電壓區(qū)占心房的面積的比例。消融術(shù)后華法林及低分子肝素重疊使用3天，繼續(xù)口服華法林至少3個(gè)月，使INR保持在1.8-2.5，并于手術(shù)后3個(gè)月、6個(gè)月及12個(gè)月進(jìn)行常規(guī)隨訪，有心悸癥狀時(shí)隨時(shí)復(fù)查心電圖，隨訪內(nèi)容包括:心電圖、24小時(shí)動(dòng)態(tài)心電圖監(jiān)測(cè)。以3個(gè)月后ECG或24小時(shí)動(dòng)態(tài)心電圖發(fā)現(xiàn)持續(xù)時(shí)間≥1分鐘的房顫定義為復(fù)發(fā)。消融后進(jìn)行為期至少12個(gè)月的隨訪時(shí)間。使用單因素和

4、多因素分析方法評(píng)價(jià)左房低電壓以及其他變量對(duì)于結(jié)果的預(yù)測(cè)價(jià)值。
　　結(jié)果:(1)50例病人中，陣發(fā)性房顫患者32例，持續(xù)性房顫患者18例，分為陣發(fā)性房顫組與持續(xù)性房顫組。兩組患者在射血分?jǐn)?shù)、器質(zhì)性心臟病、年齡以及性別方面差異均無統(tǒng)計(jì)學(xué)意義(p＞0.05)。但是持續(xù)房顫組低電壓區(qū)檢出率更高(p＜0.05)(2)50例病人中，根據(jù)有無左房低電壓區(qū)存在，分為低電壓組與非低電壓組。低電壓組（共16例）與非低電壓組（共34例）相比左房?jī)?nèi)徑明顯

5、增大(46.5±4.3 mm VS38.9±7.4mm，p=0.011)，射血分?jǐn)?shù)明顯減低(51.9±3.63％ VS57.5±6.0％，p=0.021);低電壓組與非低電壓組相比復(fù)發(fā)率較高(9/16 VS5/34，p=0.002)。(3)50例患者中共有14例發(fā)生房顫復(fù)發(fā)，分為復(fù)發(fā)與未復(fù)發(fā)組。單因素變量分析顯示左房低電壓、年齡、左房?jī)?nèi)徑及房顫類型是房顫射頻消融手術(shù)復(fù)發(fā)的預(yù)測(cè)因素。而多因素變量分析顯示左房低電壓是獨(dú)立的房顫射頻消融術(shù)后復(fù)