40nm高速嵌入式SRAM IP設(shè)計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、SRAM是現(xiàn)代 VLSI系統(tǒng)中的重要組成部分，用它做的緩存連接了CPU和主存儲器。隨著標準 CMOS工藝下的MOSFET的特征尺寸越來越小，晶體管的電氣特性受工藝波動的影響越來越大，這對納米級芯片的設(shè)計提出了更高的要求。
　　針對40nm CMOS工藝條件下片上嵌入式 SRAM高速和高可靠性的應(yīng)用領(lǐng)域需求，本文詳細闡述了一款存取速度快、可靠性高的1024×32bit SRAM設(shè)計。它的存儲單元面積為.131×.062 mμ2。帶寄

2、生 RC模型時最壞 PVT條件下，芯片的工作周期時間小于1ns，而在 TT條件下的工作頻率可以達到1.5GHz。
　　本論文首先在對6T結(jié)構(gòu)深入的理論分析后，面對40nm工藝帶來的限制，我們對6T單元進行了仔細的設(shè)計以滿足高速和高穩(wěn)定性的要求。然后在外圍電路設(shè)計方面，首先完成了高速、占用面積小的靈敏放大器設(shè)計。它的失調(diào)電壓通過增加使能信號的上升時間來實現(xiàn)。結(jié)合存儲單元列中信息的變化進行合理的分析并選擇最壞情況進行設(shè)計。在自定時設(shè)計

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