PEVCD技術(shù)制作減反膜研究.pdf

1、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）技術(shù)最早是應(yīng)半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)展需要而出現(xiàn)的，目前廣泛的用于微電子行業(yè)。PECVD技術(shù)又以其良好的均勻性和階梯覆蓋性、沉積薄膜致密、膜層與基體的結(jié)合力高、沉積速度快等特點(diǎn)，應(yīng)用在二元光學(xué)、漸變折射率光學(xué)薄膜以及抗激光損傷薄膜等方面。但是，在PECVD方法沉積薄膜的同時(shí)也會(huì)產(chǎn)生大量的微粒和雜質(zhì)，相對(duì)于光學(xué)薄膜來說，如何掌握薄膜折射率和準(zhǔn)確的控制沉積速率，成為這種沉積方法的關(guān)鍵和難點(diǎn)。本文主要探討利用PECV

2、D技術(shù)制備光學(xué)減反膜的有效途徑。探索了PECVD技術(shù)以硅片和K9為基底沉積光學(xué)薄膜的工藝過程控制；分析研究了不同工藝參數(shù)對(duì)薄膜光學(xué)特性的影響；設(shè)計(jì)并試制了光學(xué)減反膜樣片，進(jìn)行了誤差分析與評(píng)價(jià)。通過控制薄膜沉積工藝參數(shù)，可使薄膜的光學(xué)常數(shù)發(fā)生變化，當(dāng)控制薄膜材料的消光系數(shù)k<10-4，滿足光學(xué)薄膜的使用要求情況下，可獲得以下結(jié)論：
　　 ⑴SiO2薄膜材料折射率變化范圍為1.47～1.54，SiNx薄膜材料折射率變化范圍為1.85

3、～1.93，SiOxNy薄膜材料折射率變化范圍為:1.57～1.76；
　　 ⑵通過改變SiH4流速可以將SiO2、SiNx以及SiOxNy薄膜的沉積速率可以控制在10nm/min～50nm/min范圍內(nèi)；
　　 ⑶當(dāng)薄膜材料沉積速率在20nm/min～40nm/min之間時(shí)，沉積薄膜的厚度可以達(dá)到精確控制的目的，其控制誤差小于7％；
　　 ⑷采用SiO2、SiNx以及SiOxNy作為薄膜材料在K9玻璃基底上單面