電針對腦缺血大鼠血清血管內皮生長因子及腫瘤壞死因子的影響.pdf

1、目的：腦血管疾病是指腦血管病變所引起的腦功能障礙，屬中醫(yī)學“中風”范疇，具有發(fā)病率高、病死率高、致殘率高的“三高”特點，而且，隨著人類老齡化，腦血管病的發(fā)病漸呈上升趨勢。缺血性腦血管疾病占腦血管疾病的 55％～80％。因此，研究和防治缺血性腦損傷，是基礎醫(yī)學和臨床醫(yī)學的重點。隨著對中風診斷、搶救水平的提高，其死亡率已大幅度下降，但致殘率則明顯上升，在我國，其致殘率高達 80％。中風偏癱歷來為針灸科常見病，針灸為主綜合干預是治療中風偏癱療

2、效較為理想的一種方法。對腦卒中患者采取有效的治療，是保證他們早日康復的重要措施。腦缺血后，及時恢復缺血區(qū)腦組織的血液供應，尤其是缺血半暗帶區(qū)的血液供應，對于缺血性腦血管病的治療與預后意義重大。血管內皮生長因子(VEGF)能促進微血管內皮細胞分裂、增殖、遷移，增加血管通透性，促進血管支持物的生成，有利于缺血區(qū)血液的供應。腫瘤壞死因子(TNF-α)具有廣泛的生物學活性，參與機體的細胞功能調節(jié)、免疫和炎癥反應等，具有抗血管生成，促進血栓形成，

3、引發(fā)血管收縮等作用。本課題在大鼠改良線栓法大腦中動脈栓塞(MCAO)模型的基礎上，電針百會、水溝、足三里(雙側)穴，觀察電針對MCAO模型大鼠血清中VEGF、TNF-α的影響，探討電針治療缺血性腦血管病的可能作用機制，為針灸臨床治療缺血性腦血管病提供一定的實驗和理論依據。 方法：健康成年 SD 大鼠100只，雌雄不拘，隨機分為正常對照組、假手術組、模型組、電針組；其中，模型組、電針組分別按缺血再灌注后不同時間(1d、2d、4d、

4、8d)，分為A、B、C、D四個亞組。采用改良線栓法制備大鼠局灶性腦缺血再灌注(MCAO)模型，參照 Zea-Longa評分標準進行神經功能障礙評分，進行動物篩選。電針百會、水溝、足三里(雙側)穴，采用雙抗體夾心酶聯(lián)免疫分析 (ELISA)法和放射免疫分析法，觀察MCAO模型大鼠血清中VEGF、TNF-α的表達。 結果：1．電針組與模型組相比較，腦缺血再灌注大鼠神經缺損癥狀顯著改善(P<0.01)。2．缺血再灌注后，VEGF、TN

5、F-α表達增強(P<0.01)。3．伴隨再灌注時間(1d、2d、4d、8d)的延長，各組別模型組和電針組 VEGF 表達均逐漸增強， TNF-α表達均逐漸減弱。4．電針治療后，與各對應時相模型組比較，VEGF表達明顯增強，TNF-α表達明顯降低。其中，電針D組與模型D組比較，P<0.01；其余各對應組別P<0.05。 結論：1．電針顯著改善腦缺血再灌注大鼠神經缺損癥狀。2．缺血、缺氧是促使VEGF、TNF-α表達的誘因。3．電針