白血病多藥耐藥細胞K562-ADM誘導凋亡中線粒體的作用.pdf

1、蘭州大學碩士學位論文白血病多藥耐藥細胞K562ADM誘導凋亡中線粒體的作用姓名：郭璐申請學位級別：碩士專業(yè)：生物化學與分子生物學指導教師：魏虎來20060601G1期和Gl期細胞增多，提示細胞發(fā)生G1阻滯和凋亡。K562／ADM細胞經(jīng)40flmol／LVES處理后，凋亡細胞線粒體的形態(tài)結構出現(xiàn)顯著改變，可見線粒體內(nèi)外膜融合，縮小，甚至碎片化，嵴減少且紊亂。K562／ADM細胞經(jīng)2嘰mol／L和40ktmol／LVES作用12h線粒體跨膜

2、電位(△vm)顯著降低，陽性細胞由999％分別降至798％；fn493％，熒光強度減低。激光共聚焦顯微鏡檢測到胞漿內(nèi)細胞色素C增多。RTPCR檢測發(fā)現(xiàn)，caspase9mRNA表達也隨VES劑量增加而增高。20≯tmol／L和40#mol／LVES作用后，mdrlmRNA表達下降，P—gp合成顯著降低，72h時Pgp表達陽性率由982％降低至878％一751％。caspase3mRNA表達明顯增高，caspase一3活性顯著增強，活化c

3、aspase3由531％增高至25O％和326％。VES顯著提高K562／ADM細胞對阿霉素(ADM)的敏感性。結論：VES可能通過改變K562／ADM耐藥細胞線粒體的形態(tài)結構和穩(wěn)定性，導致線粒體膜電位降低，細胞色素C釋放，caspase一9激活及下游caspase3活化從而誘發(fā)K562／ADM細胞凋亡。同時VES抑制耐藥基因mdrl表達，降低P—gp合成和功能，解除pgP對caspase3的抑制效應，逆轉因mdrl／PgP高表達所介導