電針“百會”穴對APP-PS1雙轉基因小鼠海馬區(qū)代謝物及空間學習記憶能力的影響.pdf

1、目的:
　　本研究利用磁共振波譜(Magnetic resonance spectroscopy，MRS)技術觀察APP/PS1雙轉基因小鼠腦內海馬區(qū)代謝物N-乙酰天門冬氨酸(N-Acetylaspartate，NAA)，谷氨酸(Glutamate，Glu)，肌醇(myoinositol，mI)的變化，探討電針“百會”穴對APP/PS1雙轉基因小鼠空間學習記憶能力的影響及可能的作用機制。
　　方法:
　　36只APP/

2、PS1雙轉基因小鼠根據(jù)隨機數(shù)字表分為3組，模型組(12只)、電針組(12只)及非穴組(12只)，另有12只同窩陰性野生型小鼠隨機分入正常組。電針組電針“百會”穴，每天1次，30min/次，疏密波，1/20Hz，持續(xù)4周。采用Morris水迷宮及跳臺實驗評估小鼠空間學習記憶功能;應用MRS觀察各組小鼠海馬區(qū)NAA、Glu、mI代謝的變化，尼氏染色(Nissl's staining)觀察神經(jīng)元細胞數(shù)量變化，以及蛋白免疫印跡雜交技術(West

3、ern blotting)檢測腦源性神經(jīng)營養(yǎng)因子(Brain derived neurophicfactor，BDNF)、酪氨酸受體激酶B(Tropomyosin receptor kinase B，TrkB)。
　　結果:
　　1.干預前后Morris水迷宮結果顯示:干預前，模型組小鼠與電針組小鼠逃避潛伏期無統(tǒng)計學意義(P＞0.05)，兩組間穿越平臺次數(shù)無差異(P＞0.05);干預后，電針組小鼠逃避潛伏期較模型組縮短，差異

4、有統(tǒng)計學意義(P＜0.05)，電針組較模型組穿越平臺次數(shù)增加，差異有統(tǒng)計學意義(P＜0.05)。
　　干預前后跳臺實驗結果顯示:干預前，電針組小鼠跳下平臺錯誤次數(shù)與模型組小鼠相比無差異(P＞0.05)，第一次跳下平臺潛伏期無統(tǒng)計學意義(P＞0.05);干預后，電針組錯誤次數(shù)較模型組顯著減少(P＜0.01)，第一次跳下平臺潛伏期延長具有統(tǒng)計學差異(P＜0.01)。
　　2.干預前后MRS結果顯示:干預前與模型組相比較，電針組小

5、鼠海馬區(qū)NAA、Glu及mI含量均未見顯著差異(P＞0.05);干預后電針組小鼠海馬區(qū)NAA、Glu比值較模型組含量升高(P＜0.05)。mI含量在電針與模型兩組對比中均無差異(P＞0.05)。
　　3.尼氏染色結果顯示:電針組小鼠腦內海馬CA1、CA3區(qū)神經(jīng)元細胞計數(shù)均高于模型組，差異具有統(tǒng)計學意義(P＜0.01)。
　　4.Western Blotting結果顯示:與模型組小鼠相比，電針組小鼠海馬中BDNF、TrkB及其