Hsa-miR-363、Hsa-miR-423-5p對HaCaT細胞表達VEGF的調(diào)控研究.pdf

1、分類號：R75密級：學位類別：科學學位團專業(yè)學位口學校代碼：10062學號：2011602785學科門類：醫(yī)學天蚌醬科袁垮T藿AN’|I麓麓纛狂leI蠛封HlVEllSITY碩士學位論文MASTER’SDISSERTATIoN論文題目：HsamiR363、HsamiR4235p對HaCaT細胞表達VEGF的調(diào)控研究TITLEAStudyofHsa—miR363、HsamiR4235pRegulatingtheExpressionofVE

2、GFinHaCaTCells一級學科：臨床醫(yī)學二級學科：皮膚病與性病學論文作者：任新新指導教師：劉全忠導師組成員：徐麗敏天津醫(yī)科大學研究生院二。一四年五月天津醫(yī)科大學碩士學位論文中又捅要目的：探討人工構建的hsamiR363和hsa—miR4235P兩條microRNAs對人HaCaT細胞表達血管內(nèi)皮生長因子(VEGF)的調(diào)控作用，預測hsamiR363和hsamiR4235P在銀屑病領域的應用前景。方法：培養(yǎng)人永生角質(zhì)形成細胞(HaC

3、aT細胞株)，培養(yǎng)完成后進行細胞鋪板，本次實驗設有hsamiR一363模擬物組、hsamiR一363抑制物組、hsamiR4235p模擬物組、hsamiR4235p抑制物組、模擬物陰性對照組、抑制物陰性對照組和空白對照組共7組，根據(jù)需要做好復孔，然后加入轉(zhuǎn)染試劑進行轉(zhuǎn)染，再用MTT法檢測HaCaT細胞增殖活性和細胞轉(zhuǎn)染的成果，實時熒光定量PCR(qRTPCR)檢測轉(zhuǎn)染細胞中VEGF基因的mRNA水平，ELlSA法觀察hsamiR363和

4、hsamiR423—5p對VEGF蛋白表達水平的調(diào)控效應。結果：MTT實驗結果顯示hsamiR一363模擬物、hsamiR363抑制物、hsamiR4235p模擬物、hsamiR4235p、抑制物、模擬物陰性對照和抑制物陰性對照六組24h、48h、72h的細胞增殖活性有統(tǒng)計學意義(P005)，在光學顯微鏡下觀察到細胞生長狀態(tài)良好，代表轉(zhuǎn)染效果良好。隨著時間的推移細胞增殖抑制率逐漸升高，到72h時達到最高，同樣代表轉(zhuǎn)染率在72h最高。隨著

5、細胞增殖抑制率達到最高，轉(zhuǎn)染率也達到最高，效果最明顯，細胞也趨于穩(wěn)定，達到最佳狀態(tài)，促使各組問差異體現(xiàn)明顯。qRTPCR結果顯示hsamiR一363模擬物組、hsamiR一363抑制物組、hsamiR4235p模擬物組和hsamiR4235p抑制物組VEGF基因的mRNA表達水平值與空白對照組之間的P值均大于005，差異無統(tǒng)計學意義，臣口hsa—miR363模擬物和抑制物、Hsa—miR4235p模擬物和抑制物對VEGF基因的mRNA表

6、達水平無影響。ELISA結果顯示hsamiR一363模擬物、hsamiR一363抑制物和空白對照組各組間的VEGF蛋白表達水平均有統(tǒng)計學意義，即hsa—miR363模擬物組的VEGF蛋白表達水平較正常組高，hsamiR363抑制物組的表達水平低，進一步說明hsamiR363可以使HaCaT細胞VEGF信號通路表達上調(diào)。HsamiR423—5P模擬物、hsamiR423—5P抑制物、模擬物陰性對照、抑制物陰性對照和空白對照組各組間的VEG