頭穴電針誘導NGF透血腦屏障效應及對腦缺血大鼠學習記憶能力的影響.pdf

1、目的：1．觀察頭穴電針誘導NGF透BBB的效應及與PKC通路相關性；
　　2．觀察頭穴電針誘導NGF透BBB對腦缺血模型大鼠學習記憶能力的影響。
　　方法：1．實驗第一部分采用反復腦缺血再灌注的方法，建立學習記憶障礙大鼠動物模型，在大鼠BBB完整穩(wěn)定后（術后第21天），隨機分為模型對照組、NGF組、電針組、NGF+電針組、NGF+H7+電針組，另設假手術組。處理時假手術組、模型對照組僅注射生理鹽水，NGF組尾靜脈注射NGF，

2、電針組刺激大鼠“百會”和“啞門”穴，50HZ，強度2mA，NGF+電針組，NGF+H7+電針組均在尾靜脈注射 NGF基礎上，再結合電針“百會”和“啞門”穴，并給NGF+H7+電針組同時予以腹腔注射PKC阻斷劑H7。30分鐘后取大鼠全腦組織，用ELISA法檢測各組大鼠腦組織中NGF含量；
　　2．實驗第二部分建立學習記憶障礙大鼠動物模型，造模方法同第一部分實驗大鼠。在大鼠BBB完整穩(wěn)定后（術后第21天），隨機分為模型對照組、NGF組

3、、電針組、NGF+電針組、另設假手術組。大鼠處理同第一部分實驗大鼠，連續(xù)15天，于第16天開始對大鼠進行Morris水迷宮實驗，觀察各組大鼠空間學習記憶能力變化。
　　結果：1．在大鼠腦組織 NGF含量檢測中，NGF組與模型對照組比較，有少量提高，但不明顯（P＞0.05）；電針組與模型對照組比較，有微量提高（P＞0.05）；NGF+電針組與NGF組比較，有明顯提高，差異顯著（P<0.01）；NGF+H7+電針組與NGF+電針組比較

4、，有下降趨勢，但尚無顯著性意義（P＞0.05）。
　　2．在Morris水迷宮實驗中，模型對照組大鼠有明顯的學習記憶能力障礙，與假手術組比較，差異顯著（P<0.01）；NGF組、電針組與模型對照組比較，學習記憶能力均無明顯改善（P＞0.05），NGF+電針組與模型對照組比較，學習能力改善呈明顯差異（P<0.05），但記憶能力改善不明顯（P＞0.05），僅呈改善趨勢。
　　結論：1．頭穴電針能誘導NGF透過血腦屏障，使腦組織中