MAPK信號通路在二氧化硅誘導的人支氣管上皮細胞上皮-間質轉型中的作用機制研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、目的:研究二氧化硅(Si02)體外誘導的人支氣管上皮細胞(HBE)上皮一間質轉型(EMT)及MAPK信號通路在此過程中的作用機制。
   方法:(1)倒置顯微鏡觀察Si02處理HBE細胞后的形態(tài)學改變;(2)用不同濃度矽塵(0μg/ml,50μg/ml,100μg/ml,200μg/ml,300μg/ml)處理HBE細胞72h后WestemBlot檢測上皮細胞標志物E-鈣粘蛋白(E-cadherin)和α-平滑肌肌動蛋白(α-S

2、MA)、間質細胞標志物波形蛋白(Vimentin)蛋白表達水平的改變;(3)采用MAPK活性檢測試劑盒檢測Si02處理HBE細胞不同時間點(Oh,0.5h,lh,2h,4h,8h)ERK和p38活性改變;(4)WesternBlot檢測經不同濃度ERK、p38特異性抑制劑U0126和SB203580(10μM,20μM,30μM)預處理lh后,矽塵誘導的HBE細胞E-cadhefin、α-SMA和Vimentin蛋白表達的改變;(5)免

3、疫印跡檢測30μMM的U0126和SB203580兩者共同干預HBE細胞后E-cadhefin、Vimentin和α-SMA蛋白表達的改變。
   結果:(1)Si02處理HBE細胞后,Si02濃度在200μg/ml細胞形態(tài)變化最明顯,細胞失去了鋪路石樣改變,呈梭形、紡錘形;(2)不同濃度Si02(0,50,100,200,300μg/ml)處理HBE細胞72h后,隨著Si02濃度的升高,E-cad表達逐漸降低,α-SMA和Vi

4、mentin表達逐漸升高,在Si02濃度為200μg/ml時E-cad蛋白表達水平(1.42±0.10)明顯低于對照組的表達水平(3.74+0.95)(P<0.05),E-cad在SiO2濃度為300μg/ml時最低,并且在100、200、300μg/ml組均有統(tǒng)計學差異(P<0.05);而α-SMA在Si02濃度為200μg/ml時達到高峰,為對照組的(5.09±1.98)倍,在200~300μg/ml時α-SMA表達略有下降,但仍高

5、于對照組(P<0.05);Vimentin在Si02濃度為300μg/ml時最高,為對照組的(7.30±3.02)倍,在200、300μg/ml組均有統(tǒng)計學差異(P<0.05);(3)Si02作用于HBE細胞能誘導ERK和p38激酶活化,于30min開始出現(xiàn)ERK和p38磷酸化水平增高,分別于60min和30min之后逐漸減弱;(4)干預實驗,免疫印跡結果顯示,U0126(20,30μpM)干預組,E-cadherin蛋白表達分別為Si

6、02(200μg/ml)處理組的(2.52±0.87)倍和(3.17±0.88)倍(P<0.05),30μM的U0126預處理后,α-SMA和Vimentin表達減少,抑制率分別為40.43%和60.33%(P<0.05);SB203580(30μM)干預組,E-cadherin表達為SiO2(200μg/ml)處理組的(1.77±0.26)倍(P<0.05),α-SMA和Vimentin表達減少,抑制率分別為34.67%和55.44%

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